P+膜制备工艺研究
Research on Fabrication for P+ Silicon Films
摘要
通过对浓硼扩散工艺的介绍,讨论了沉积过程中的几个重要参数,并针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,提出了可行的解决方法.
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期387-388,共2页
China Mechanical Engineering
参考文献5
-
1徐义刚,王跃林,曾令海,丁纯.四电极系统P—N结自停止腐蚀研究[J].Journal of Semiconductors,1994,15(11):762-767. 被引量：5
-
2李忻,车录锋,王跃林.一种超薄硅薄膜的制作方法[J].功能材料与器件学报,2002,8(4):388-390. 被引量：6
-
3[3]Angell J B,Terry S C,Barth P W. Silicon Micromechanical Devices. Scientific American, 1983,248: 44～55
-
4李国正.Si的化学自停止腐蚀方法的研究[J].微电子学,1995,25(4):45-47. 被引量：3
-
5[5]Frazier A B,OBrien D P,Allen M G. Two Dimensional Metallic Microelectrode Arrays for Extra Cellular Stimulation And Recording of Neurons. Micro Electro Mechanical Systems Conference, Ft Lauderdale, 1993
二级参考文献5
-
1Wang Yaolin，IEEE Electron Devices，1991年，38卷，1797页
-
2Hiroaki Terabe, Hiroaki Arashima, Noritake Ura. A Silicon Pressure with Stainless Diaphragm for High Temperature and Chemical Application[A]. Traducers' 97 [C]. June 1997.
-
3Yuelin Wang, M.Esashi. The structures for electrostatic servo capacitive vacuum sensors [J]. Sensors and Actuators A, 1998, 66:213-217.
-
4Huang C, Najafi K. Fabrication of Ultrathin P+ + Silicon Microstructures Using Ion Implantation and Boron Etch-stop [J]. Journal of Microelectromechanical Systems,2001, 10(4): 532-537.
-
5陈兢,刘理天.基于MEMS技术的微麦克风的研制[J].世界产品与技术,2000(10):23-25. 被引量：1
共引文献11
-
1周伟勤,徐义刚,王跃林.数片硅同时自停止腐蚀技术研究[J].仪表技术与传感器,1996(6):16-18.
-
2夏文明,丁建宁,杨继昌.硅微微压传感器研究进展[J].传感器与微系统,2006,25(9):12-14. 被引量：1
-
3朱作云,李跃进,王文襄.微型压阻式压力传感器的研制[J].电子科技杂志,1997(1):22-25. 被引量：2
-
4黄晓东,王斌,秦明,黄庆安.一种单片集成电容式压力传感器的设计、制造和测试[J].传感技术学报,2008,21(4):578-580. 被引量：2
-
5王冰,尤彩红,王文襄.微型及超微型压力传感器的开发[J].计测技术,2009,29(B09):29-30.
-
6王冰,尤彩红,王文襄.微型及超微型压力传感器的开发[J].仪表技术与传感器,2009(B11):180-181. 被引量：4
-
7沈桂芬,吴春瑜,姚朋军,杨学昌,刘兴辉,吕品,高嵩.各向异性腐蚀技术研究与分析[J].传感技术学报,2001,14(2):140-146. 被引量：8
-
8刘杨,张明亮,季安,王晓东,杨富华.基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备[J].影像科学与光化学,2016,34(3):265-272.
-
9史鑫,王伟,李金平.基于SOI压阻式噪声传感器的声学动态特性分析与设计[J].传感器与微系统,2018,37(5):61-63. 被引量：4
-
10张明亮,韩国威,刘庆,李艳,杨富华,王晓东.瓦里安300XP离子注入机改造及功能开发[J].分析测试技术与仪器,2020,26(3):151-159. 被引量：1
-
1钟玉杰,许宏,黄烈云.一种新型去除硼硅玻璃的方法[J].半导体光电,2014,35(3):454-456.
-
2周伟勤,徐义刚,王跃林.数片硅同时自停止腐蚀技术研究[J].仪表技术与传感器,1996(6):16-18.
-
3贺跃坤,林良华.改进的密封硼硅玻璃CO_2波导激光器[J].四川激光,1980,1(4):28-31.
-
4贾正根.液晶显示用平板玻璃[J].光电子技术,1992,12(2):114-122.
-
5郑志霞,冯勇建.高机械灵敏度悬空导电薄膜的制备方法研究[J].厦门大学学报（自然科学版）,2012,51(1):51-54. 被引量：4
-
6李国正.Si的化学自停止腐蚀方法的研究[J].微电子学,1995,25(4):45-47. 被引量：3
-
7王平,朱向明.3DD200谈硼扩散工艺验证报告[J].红讯半导体,1989(3):26-28.
-
8Mura.,S,郑桂英.H2退火对锌硼硅玻璃钝化P—N结反向电流—电压特性的影响[J].永光半导体,1989(1):47-53.
-
9黄英,张安康.超高频多晶硅发射极晶体管的研究[J].电子器件,1996,19(4):239-251. 被引量：1
-
10徐义刚,王跃林,曾令海,丁纯.四电极系统P—N结自停止腐蚀研究[J].Journal of Semiconductors,1994,15(11):762-767. 被引量：5
