期刊文献+

不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究

Internal Stress Measurement of LPCVD Silicon Nitride Deposited on Different Substrates
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据.
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期449-450,453,共3页 China Mechanical Engineering
基金 北京大学校长基金资助项目
  • 相关文献

参考文献5

  • 1[1]Buckel W. Internal Stress. J. Vac. Sci. Technol. ,1969, 6: 606~609
  • 2钱劲,刘澂,张大成,赵亚溥.微电子机械系统中的残余应力问题[J].机械强度,2001,23(4):393-401. 被引量:32
  • 3[4]Pauleau Y. Generation and Evolution of Residual Stresses in Physical Vapour-deposited Thin Films.Vacuum, 2001, 61:175~181
  • 4[5]Wild S, Grieveson P, Jack K. The Crystal Structures of Alpha and Beta Silicon and Germanium Nitrides, Special Ceramics 5. British Ceramic Research Association, 1972
  • 5[7]Wolf S, Tauber R N. Silicon Processing for the VLSI Ers. 2nd Ed. Sunset Beach, CA: Lattcs Press, 1999

二级参考文献3

共引文献31

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部