摘要
为了研究磁场对晶体生长界面的形状、温度、氧的质量分数分布等的影响,本文采用低雷诺数的κ-ε湍流模型,对直径为200 mm、哈特曼数分别为0、500、1000和2000的大直径单晶硅进行了数值模拟．结果表明,垂直磁场能抑制熔体中的径向对流,并在一定程度上使子午面的流动减弱,氧的轴向减小,等温线变得更为平坦．当磁场强度过高时,熔体中氧的轴向增加,湍流程度也增加．
It is known that the shape of the growth interface, the temperature, oxygen concentration distribution are sensitive to the magnetic field strength. In this paper, a low Reynolds number model was used for the simulation of a 200 mm large diameter silicon crystal growth under a vertical magnetic field with different strength, the Hartmann number is equal to 0, 500, 1 000 and 2 000 respectively. Numerical results showed that a vertical magnetic field can effectively reduce the strength of the flow at the radi...
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第S1期68-73,共6页
Journal of Beijing University of Technology
基金
国家自然科学基金资助(10472003)
北京市自然科学基金资助(3042002)
北京工业大学博士启动基金资助(127-00227)
关键词
直拉法
磁场
数值模拟
czochralski
magnetic field
simulation
