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980nm垂直腔面发射激光器的研制

Fabrication of 980nm Vertical-Cavity Surface-Emitting-Diodes
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摘要 采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL).通过制备不同氧化孔径尺寸的VCSEL,分析了氧化孔径尺寸大小对器件的阈值电流和串联电阻的影响.获得的最小阈值电流为0.8mA,最大光输出功率达8mW.
作者 郭霞 董立闽 渠红伟 达小丽 杜金玉 邓军 沈光地
机构地区 北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期129-131,共3页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金(批准号:60276033,69889601),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312070)及国家重点基础研究发展计划(批准号:G20000683-02)资助项目
关键词 垂直腔面发射激光器 内腔接触 湿氮氧化
分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]
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共引文献5

Journal of Semiconductors
2005年 第z1期

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