摘要
ITRS规划2001年实现0.13μm工艺。实际上2001年O.13μm工艺已达量产。0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术。248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。
The ITRS 2001 makes that in the 2001 years achieves 0.13μm technology. In fact,in the 2001 years the 0.13μm technology have achieved mass production.The 0.13μ m technology conisists of the 0.13μm lithograpty technology, the high k insulaion material,The low k insulation material and the Cu interconnection technology etc. The 0.13μm technology must adopted 248nm KrF stepper.
出处
《电子与封装》
2003年第5期58-60,6,共4页
Electronics & Packaging
