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忆阻器存储研究与展望 被引量：11

Research and Prospect on Memristor Memory
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摘要 随着信息呈现爆炸式增长,而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸,新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器,适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上,讨论忆阻器作为存储单元的特性,综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上,探讨了今后的研究方向. 随着信息呈现爆炸式增长,而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸,新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器,适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上,讨论忆阻器作为存储单元的特性,综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上,探讨了今后的研究方向.
作者 胡舒凯 吴俊杰 周海芳 张拥军 方旭东
机构地区 国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理国家重点实验室 国防科学技术大学计算机学院
出处 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2012年第S1期79-84,共6页 Journal of Computer Research and Development
基金 国家自然科学基金项目(60921062 61003082)
关键词 忆阻器 存储 结构 综述 memristor memory structure review
分类号 TP3 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 相关文献

参考文献23

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引证文献11

二级引证文献43

计算机研究与发展
2012年 第S1期

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