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超浅硅N^+P结雪崩发射式冷阴极研究

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摘要 本文介绍了硅超浅N^+P、结雪崩电子发射式真空微冷阴极的结构、工作原理以及用低能As离子注子形成结深浅于30 um的超浅N^+P结技术和简便的结深监测方法.并给出了这种冷阴极电子发射性能的实验结果.
出处 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第S1期149-152,共4页 Journal of Yunnan University(Natural Sciences Edition)
基金 国家自然科学基金资助课题
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