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超浅硅N^+P结雪崩发射式冷阴极研究
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摘要
本文介绍了硅超浅N^+P、结雪崩电子发射式真空微冷阴极的结构、工作原理以及用低能As离子注子形成结深浅于30 um的超浅N^+P结技术和简便的结深监测方法.并给出了这种冷阴极电子发射性能的实验结果.
作者
薜臻
李琼
汤世豪
袁美英
徐静芳
林成鲁
张锻
吴俊富
机构地区
华东师范大学电子科学技术系
中国科学院上海冶金研究所
上海真空电子器件股份有限公司
出处
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1992年第S1期149-152,共4页
Journal of Yunnan University(Natural Sciences Edition)
基金
国家自然科学基金资助课题
关键词
超浅硅
冷阴极
雪崩电子发射
分类号
N55 [自然科学总论]
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云南大学学报(自然科学版)
1992年 第S1期
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