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美国军标MIL-STD-883D方法1019.4电离辐射(总剂量)试验程序

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摘要一、目的本试验程序定义了钴60γ射线源对已封装好的集成电路进行电离辐射(总剂量)效应的要求。本程序提供评估低剂量率电离辐射对器件影响的加速老化试验。在器件有显著的时间相关效应的低剂量率或一些其他应用中,这个试验是很重要的。这个程序仅适用稳态辐照,而不适合脉冲辐照(瞬态辐照)。

作者薛仁经

出处《控制工程（北京）》 1994年第1期58-63,共6页

关键词电离辐射试验程序军用标准美国

分类号 O536 [理学—等离子体物理]

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控制工程（北京）

1994年第1期

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