注入二氧化硅的硼/磷杂质分布的一般表达式

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摘要在能量分别为50～700keV和50～1200keV范围内,把硼离子和磷离子注入SiO_2薄膜中。利用二次离子质谱分析(SIMS)测出浓渡分布,并且采用Leverberg-Marquardt优选法,进行皮尔逊分布近似。导出的范围和离散值与已发表的数据符合得非常好。优选法对于第三矩量和第四矩量给出了很精确的值,确定了注入离子的能量和不同的分布矩量之间的一般关系,同时把这些结果同SUPREM-3工艺模拟程序中所使用的值进行比较。

作者 A.Stolmeijer 刘道广(译)

机构地区不详

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第4期72-75,共4页 Microelectronics

关键词二氧化硅离子注入硼/磷杂质分布

分类号 TN405.3 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学

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