摘要
本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。
Based on both numerial analysis and experimental data,a surface correction formula for minority lifetime measurement of silicon crystals is proposed using high frequency photoconductive decay stimulated by monochomatic light.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期71-73,共3页
Acta Electronica Sinica
关键词
硅
少子寿命
光电导衰减法
Silicon,Minority carrier lifetime,Photoconductive decay
