摘要
ＣｄＳ半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究窦恺，赵家龙，靳春明，孙聆东，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室，长春１３００２１）向卫东，丁子上（浙江大学材料科学工程系，杭州３１００２７）１引言ＣｄＳ半导体微晶作为代表性介观材...
Abstract High excitation photoluminescence of CdS nanosize microcrystals doped sodium borosillcate galssat 30Kwas investigated.The dependence of luminescence peak shift and spectral broadeningon the excitation power was experimentally measured.The pos-sible mechanism of the spectral broadeningwlth increasing the excitation power was proposed and discussed
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期278-280,共3页
Chinese Journal of Luminescence
基金
国家自然科学基金
