摘要
按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式。
Ferroelectric memory elements, 1T/1C, 2T/2C and MFS, and theirs operating processes are respectively introduced briefly in this paper, according to Ferroelectrie Random Access Memory and Ferroelectrie Field-Effect Transistor corresponding operating processes of fermelectrie memory, destructive read out and non- destmetive read out.
出处
《计算机与数字工程》
2006年第1期8-12,共5页
Computer & Digital Engineering
基金
国家自然科学基金重大研究计划项目(90407023)资助
