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聚3-己基噻吩的光电性能研究 被引量：5

A photoelectrochemical study of the poly (3-hexylthiophene)
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摘要 利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质,其禁带宽度为1.89eV,同时确定了它的价带位置(-3.6eV)、导带位置(-5.4eV)。研究发现聚3-己基噻吩属于直接跃迁型半导体,在本文条件下得到的最高IPCE值达5.2% The photonelectrochemical properties of the poly（3-hexylthiophene） film on the conducting glass were investigated with photonelectrochemical methods. The bandgap of P3HT film was 1.89eV. The conduction band and valence band were determined to be -3.6 and -5.4eV respectively. The maximal IPCE measured in this paper was 5.2 %.
作者 郝彦忠 蔡春立
机构地区 河北科技大学理学院 河北科技大学化学与制药工程学院
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期22-24,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金资助项目(20203008) 河北省自然科学基金资助项目(202351) 河北省教育厅博士基金资助项目(110611)
关键词 聚3-己基噻吩 光电化学 导电聚合物 poly （3-hexyl thiophene） photoelectrochemistry conducting polymer
分类号 O64 [理学—物理化学] TQ251.2 [化学工程—有机化工]
  • 相关文献

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共引文献24

同被引文献65

引证文献5

二级引证文献22

功能材料
2006年 第1期

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