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低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究 被引量：2

Study on the Characteristics of Q-switching Nd∶YVO_4 Laser with GaAs Grown at Low Temperature
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摘要 采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间. A diode-pumped passively Q-switched Nd ： YVO4 laser was demonstrated by using GaAs film growing at a low temperature. The threshold power at the Q-switching is 2 W. The shortest pulse duration is 15 ns. The highest single pulse energy is 4.84μJ and the highest peak power is 330 W. The repetition rate varies between 220 kHz and 360 kHz and the highest average output power is 1.16 W.
作者 姜其畅 卓壮 王勇刚 李健 苏艳丽 马骁宇 张志刚 王清月
机构地区 山东师范大学物理与电子科学学院 山大鲁能科技有限责任公司 中国科学院半导体研究所 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室
出处 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1133-1136,共4页 Acta Photonica Sinica
基金 山东省科技厅科技攻关计划资助(031080125)
关键词 低温生长GAAS 被动调Q ND:YVO4激光器 半导体抽运 GaAs grown at low temperature Passive Q-switch Nd ：YVO4 laser Laser diode pumping
分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献11

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二级参考文献33

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共引文献31

同被引文献34

引证文献2

二级引证文献3

光子学报
2006年 第8期

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