摘要
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．
Abstract A novel sulfur passivation technique, sulfur glow discharge plasma passivation,has been developed. By using this technique, a thick GaS layer was formed on GaAs surface. Photoluminescence measurements show that GaS is a very stable passivating layer.PACC: 6820, 7280E, 7320
基金
国家自然科学基金
国家教委跨世纪人才基金
关键词
砷化镓表面
硫钝化法
辉光放电法
Glow discharges
Passivation
Photoluminescence
Surface treatment
Surfaces
