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掺杂Sb对SnO_2透明导电膜导电性的影响分析 被引量:2

ANALYSIS OF Sb-DOPING EFFECT ON CONDUCTIVITY OF SnO_2 TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
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摘要 采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响。在SnO_2掺杂1.0%(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10^(-3)Ω·cm,且薄膜的连续性、致密性好,透光率达到90%以上。 Transparent conductive film was prepared by sol-gel method. The effects of Sb-doping amount and heat treatment temperature on resistance and transmittance of the conductive film were studied. The results showed that with 1.0%(wt) amount of Sb-doping, a good continuous and dense SnO2 transparent conductive film was obtained with surface resistance down to p=16×10^-3Ω·cm and transmittance up to 90%.
出处 《陶瓷学报》 CAS 2006年第4期363-369,共7页 Journal of Ceramics
关键词 掺杂Sb SNO2薄膜 透明导电膜 导电性 SnO2 thin films, Sb-doping, transparent conductive film, sol-gel method, conductivity
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