摘要
利用K·P方法计算了InGaAs／InP的10.0nm阱党应变量子讲在1％压缩应变、无应变和1％伸张应变三种情况下的的能带结构及其态密度。结果表明在阱宽较宽时，伸张应变在开始很大能量之内子带较少，在一段能量范围之内，具有比无应变时小的态密度，因此从能带角度考虑，在伸张应变时，利用增大阱宽将可以改善器件性能。
We calculated the energy bands.and state density of InGaAs/InP quantum wellwith 10.0 nm well width under 1.0% extended, 0% and 1% compress strains. It is foundthat there are very small state densities in extended strained quantum well with very largeenergy range. So, by using extended strain at large width, we can improve quantum welllaser device characters.
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1998年第1期15-21,共7页
Chinese Journal of Quantum Electronics
基金
福建省自然科学基金
国家自然科学基金
关键词
量子阱
能带
半导体
激光器
K·P method, InGaAs/InP, strained quantum well, energy bands
