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浓硼硅腐蚀自停止的研究 被引量：3

Study of The Etch Stop Technology in Heavily Boron Doped Silicon
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摘要 介绍了ＥＰＷ腐蚀系统浓硼自停止特性及其在微机械加工中的应用。 The paper describes the etch stop characteristics of EPW (Ethylene Diamine Pyrocatechol Water)system for heavily boron doped silicon and its application in micromechanical fabrications.
作者 陈德英
机构地区 东南大学微电子中心
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期33-35,共3页 Semiconductor Technology
关键词 浓硼硅腐蚀 自停止 EPW腐蚀剂 微机械 半导体 Heavily boron Doped silicon Etch stop EPW etch Micromechining
分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学] TH－39 [机械工程]
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献5

  • 1茅盘松，传感器技术，1996年，1期
  • 2茅盘松，传感器技术，1995年，5期
  • 3茅盘松，传感器技术，1995年，6期
  • 4王佩伦，挠性陀螺-挠性轴支承刚度强度分析，1990年
  • 5刘鸿文，高等材料力学，1985年

共引文献1

同被引文献6

  • 1茅盘松,王修伦,吴绍夫.硅微振动陀螺的理论分析[J].传感器技术,1995,14(6):6-10. 被引量：3
  • 2陈德英，半导体技术，1998年，23卷，5期
  • 3黄庆安，微机械加工技术，1996年，56页
  • 4Virwani K R,Malshe A P,Schmidt W F,et al.Young's modulus measurements of silicon nanostructures using a scanning probe system:a non-destructive evaluation approach[J].Smart Mater Struct,2003,12:1028-1032.
  • 5Cabuz C,Glenn M C,Erdmann F M,et al.Methods for reducing the curvature in Boron-doped silicon micromachined structures[P].US Patent No:6,544,655 B1,2003-04-08.
  • 6陈德英,茅盘松,史建伟,熊涛,迟姗,张旭.微硅隧道加速度传感器设计[J].固体电子学研究与进展,2000,20(4):350-356. 被引量：2

引证文献3

二级引证文献9

半导体技术
1998年 第5期

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