在不同温度下退火制备多晶硅薄膜的研究被引量：1

INVESTIGATIONS ON FABRICATING POLY-SI THIN FILM AT DIFFERENT TEMPERATURES

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摘要通过PECVD法,用玻璃作衬底在30℃、350℃和450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,在600℃和850℃下退火三个小时,把前后样品用拉曼光谱和XRD分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃下好。 Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at different substrate temperature 30 ℃ ,350 ℃ ,450 ℃ , and annealed at 600 ℃ and 850 ℃ in a N2 atmosphere was studied by using micro-Raman scattering and XRD. It can be seen that the crystallization is better at 850 ℃ than that at 600 ℃.

作者靳瑞敏郑小燕陈兰莉卢景霄

机构地区南阳理工学院郑州大学材料物理教育部重点实验室

出处《南阳理工学院学报》 2009年第3期1-3,共3页 Journal of Nanyang Institute of Technology

关键词 PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜二次晶化拉曼光谱 XRD PECVD a - Si ： H film Crystallization Raman scattering XRD

分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]

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