GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法

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摘要用分子束外延技术（ＭＢＥ）在ＧａＡｓ量子阱中嵌入ＩｎＡｓ亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的．激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和ＩｎＡｓ层厚度有关．利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好．本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法．

作者徐仲英王建农王玉琪葛惟琨李晴李树深

机构地区超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所香港科技大学物理系

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期488-491,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金

关键词砷化镓砷铝镓化合物量子阱 MBE

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]

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Journal of Semiconductors

1999年第6期

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