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深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

Study on the Dependence of Annealing and Temperature for the Ionizing Radiation Effects on the Deep Sub-micron Bulk Silicon Device
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摘要 对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响。 The MOS devices which have been irradiated under the different dose and dose rate radiation will be annealed under the room temperature and the high temperature,the annealing results will be analyzed,and the anneal temperature effect will be discussed later.
作者 尹雪梅 师谦 李斌
机构地区 吉林大学珠海学院电子信息系 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
出处 《电子质量》 2011年第3期18-20,共3页 Electronics Quality
关键词 温度 退火效应 总剂量效应 电离辐射 temperature annealing effect total dose effect ionizing radiation
分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]
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参考文献7

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二级参考文献1

共引文献3

电子质量
2011年 第3期

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