摘要
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ、 Ａｌ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ 等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算，并证实了该方法的实用性．
A method is used to predict the valence band offset of strained layer heterojunction at different strain conditions, only relying on calculation of the bulk materials′ band structure and deformation parameters. And the practicability of the method is validated by the calculation of the valence band offset of InP/InAs, InP/GaP, GaAs/InAs, GaP/GaAs and AlAs/InAs strained layer heterojunction at different strain conditions.
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期670-675,共6页
Journal of Xiamen University：Natural Science
基金
教育部高校博士点基金
国家自然科学基金
福建省自然科学基金
关键词
异质结带阶
平均键能方法
形变势
半导体
Heterojunction, Average bond energy theory, Band offset, Deformation potential
