摘要
采用硅工艺设计、制作了 4× 2 88TDICCD红外焦平面HgCdTe阵列专用信号读出电路。文章详细介绍了 4× 2 88TDICCD信号读出电路的设计及制作 ,并给出了测试结果。
A 4×288 TDI CCD device is designed and fabricated for the HgCdTe IRFPA by using CCD manufacturing technology. This paper introduces design and fabrication of the device as well as its performance.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第A03期56-58,61,共4页
Semiconductor Optoelectronics
