摘要
本文的理论与实验结果说明,硅片表面吸附的OH团是室温下硅片相互吸引的主要根源。采用SIMS和红外透射谱定量测量了OH吸附量。开发了表面活化技术。发现键合强度随温度而增大是键合面积增加所致。SiO_2/SiO_2键合之界面中各种物质的扩散及氧化层粘滞流动可以消除界面微观间隙。经表面活化的两硅片经室温贴合,150℃预键合,800℃,2小时退火后经1200℃,2分钟快速热键合可实现完善的键合且原有杂质分布改变很小,为减薄工艺提供了一个技术基础。
SIMS and IR transmittance techniques are employed to measure the OH groups absorbed on wafer surface quatitatively. The increase in bonding strength with temperture is caused by bonding area increase. The diffusion of species existing at bonding interface and the oxide viscous flow can eliminate micro-gaps. Complete bonding can be achieved by 150℃ prebonding and 800％ annealing for 2 hrs followed by a rapid thermal bonding at 1200℃ for 2 mins.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期27-33,共7页
Acta Electronica Sinica
基金
国家自然科学基金
