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双极晶体管的存储时间问题——开关管存储时间与集电区少子寿命无关

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摘要 根据双极晶体管集电区少子存储可以忽略,提出了存储时间必然和集电区少子寿命无关的论点,并给出了一种验证该论点的简单实验方法.
作者 方群
出处 《物理通报》 2013年第10期94-96,共3页 Physics Bulletin
  • 相关文献

参考文献4

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  • 3收集区内的少数载流子积累效应与晶体管的存储时间.见:半导体译丛编辑委员会编译.半导体译丛平面型晶体管专集.北京:国防工业出版社,1965.181.
  • 4林兆炯,韩汝琦.晶体管原理与设计.北京:科学出版社,1977.

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