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脉冲激光蒸发制备高T_C超导薄膜及其应用

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摘要 一、引言八十年代初开始了脉冲激光蒸发制备微电子器件所需的金属、元素和化合物半导体及绝缘介质膜的研究和应用,取得巨大进展。近年来随着高T_C氧化物超导体的发现。
作者 宋登元
机构地区 河北大学电子系
出处 《国外激光》 CSCD 1991年第2期33-35,共3页
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