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808nm量子阱激光器电流调制特性的实验研究 被引量:5

Experimental study on current modulation characteristics of a 808nm Quantum well laser
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摘要 本文首次对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器 ( 80 8nm)的低频 ( 10 0Hz~ 2 0KHz)电流调制特性进行了实验研究。结果表明 :激光发射的接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比、平均功率。 In this paper,the current modulation characteristics of a high power GaAs/GaAlAs quantum well laser in low frequencies(100Hz~20KHz)were experimentally investigaed in the first time.The result showed that the laser characteristics,such as the open delay time,the threshold current,the positive duty cycle,the average power and the peak power changed with the modulation frequency and the modulation current.
出处 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期8-10,共3页 Laser Journal
基金 1999年深圳市科技三项经费资助
关键词 量子阱激光器 直接电流调制 调制响应 实验 quantum well laser direct current modulation response of modulation
  • 相关文献

参考文献2

  • 1黄德修,半导体激光器及其应用,1999年
  • 2蔡伯荣,半导体激光器,1995年

同被引文献28

引证文献5

二级引证文献11

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