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合成SiC晶须的晶体学研究 被引量：3

Studies on the crystal of synthesizing SiC whiskers
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摘要 讨论 Si C晶须生长的主要过程 ;晶核的生成、基晶的形成及晶须的生长。 The discuss of synthesizing SiC whisker (SiC w)on hrimarily formation,crystal stone take shape and SiC whisker giouth.
作者 陈友存
机构地区 安庆师范学院化学系
出处 《安庆师范学院学报（自然科学版）》 2001年第2期19-22,共4页 Journal of Anqing Teachers College(Natural Science Edition)
基金 安徽省教委资助!课题 (98JL 12 0 )
关键词 碳化硅晶须 晶核生成 基晶形成 晶须生长 晶体化学 VLS生长机理 SiC whisker crystal stone basis crystal
分类号 O784 [理学—晶体学]
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献4

  • 1Chang Xin，Chin J Met Sci Technol，1987年，3卷，289页
  • 2郭常霖，物理学报，1982年，31卷，1511页
  • 3郭常霖，物理学报，1982年，31卷，1526页
  • 4郭常霖，物理学报，1965年，21卷，1089页

共引文献20

同被引文献28

  • 1胡津津,王晓刚,李晓池,刘晓霞.SiC晶须的结晶性研究[J].现代技术陶瓷,2004,25(2):6-8. 被引量：6
  • 2陈友存.合成SiC晶须的热力学及生长机理的研究[J].安庆师范学院学报（自然科学版）,2000,6(4):6-9. 被引量：4
  • 3薛青,李亚东,汤浩,刘伟群.碳化硅晶须制备工艺[J].苏州大学学报（自然科学版）,1995,11(4):103-106. 被引量：2
  • 4Brenner S S. Factors influencing the strength of whiskers. In:Bhupendra K. Fiber Composite Materials. New York: American Society for Metal, 1965. 11 ～ 13, 1413
  • 5徐桦.SiC晶须以及有关复合材料的应用研究.见:中国硅酸盐学会编.硅酸盐辞典.北京:中国建筑工业出版社,1986.6页
  • 6Ikeyama, Nobuhide, Hakoshima, et al. Manufacture of silicon carbide whisker. Jpn Kokai Tokkyo Koho JP, 61-24051241898. 1983 - 09
  • 7韩民方 梁勇 郑芬.固相法合成SiC晶须的研究[J].材料科学与工程,1997,15(4):64-66.
  • 8Milewishi J V, Gac F D, Petrovic J J, et al. The formation and crystal semeture of silicon carbide whisker. J Mater Sci, 1985(20): 1160 ～ 1163
  • 9LEU Ing-chi, LU Yang-ming, HON Min-hsiung. Substrate effect on the preparation of silicon carbide whiskers by chemical vapor deposition [J]. Journal of Crystal Growth, 1996,167(3):607-611.
  • 10LEU Ing-ehi, LU Yang-ming, HON Min-hsiung. Faetors determining the diameter of silicon carbide whiskers prepared by chemical vapor deposition[J]. Materials Chemistry and Physics, 1998, 56(3).. 256-261.

引证文献3

二级引证文献18

安庆师范学院学报（自然科学版）
2001年 第2期

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