期刊文献+

硼硅玻璃与单晶硅场致扩散连接形成机理分析 被引量:10

Joining Mechanism of Field-assisted Bonding of Electrolyte Glass to Silicon
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 以固体电解质硼硅玻璃与单晶硅为实验材料 ,研究了玻璃—金属FDB连接过渡区的微观组织特征 ,分析了连接形成机理及主要工艺参数对连接过程的影响。提出了金属 -氧化物过渡层—玻璃接头结构形式及静电场条件下离子扩散及接合模型。研究认为 ,金属玻璃的界面接合归因于玻璃中负氧离子的扩散及界面复合氧化物的形成 ;呈横向柱状组织的复合氧化物对连接强度具有重要意义。 The microstructure and element distribution near interface of electrolyte glass silicon joining was investigated. The influence of technological parameters on joining process was studied. The joining mechanism was found to be the formation of oxide layer due to the migration and diffusion of ions. It was also found that the columnar microstructure in transitional layer is favorable to the strength of joins.
出处 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期17-20,共4页 Transactions of Materials and Heat Treatment
关键词 场致扩散焊 过渡区 单晶硅 硼硅玻璃 glass silicon field assisted bonding transitional area
  • 相关文献

参考文献7

  • 1Anthong R West 苏勉曾等(译).固体化学及其应用[M].上海:复旦大学出版社,1989.4-7.
  • 2Morrison S R 吴辉煌(译).半导体与金属氧化膜的电化学[M].北京:科学出版社,1988.114-121.
  • 3孟庆森,Proc First ICME:110306,2000年,588页
  • 4任家烈,先进材料的连接,2000年,127页
  • 5Wang H Y,Sensors Actuators B,1997年,45卷,199页
  • 6苏勉曾(译),固体化学及其应用,1989年,4页
  • 7吴辉煌(译),半导体与金属氧化膜的电化学,1988年,114页

同被引文献58

引证文献10

二级引证文献34

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部