期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

等离子体加工对器件损伤的两种模式 被引量：1

Two modes of devices damage during plasma processing
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤。主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤。讨论了两种损伤模式的等离子体过程及损伤机制。 Two modes of devices damage during plasma processing: charging damage and radiationdamage are introduced, and the plasma process and damage theory are presented.
作者 刘艳红 赵宇 王美田 胡礼中 马腾才
机构地区 大连理工大学物理系半导体教研室 三束材料改性国家重点实验室
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期69-72,共4页 Semiconductor Technology
关键词 等离子体损伤 可靠性 半导体工艺 超大规模集成电路 plasma-induced damage device reliability semiconductor technology
分类号 TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献9

  • 1[1]Viswanathan C R. Plasma induced damage. Microelectronic Engineering, 1999,49:65～81.
  • 2[2]Wadanabe T, Yoshida Y. Dielectric breakdown of gate insulator due to reactive ion etching. Solid State Technology, 1984: 263.
  • 3[3]Tsunokuni K, Kuboshima S, Hirobe K. The effect of charge build up on gate oxide breakdown during dry etching.In: Extended Abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials,1987: 195.
  • 4[4]Fonash S J et. al. A survey of damage effects in plasma etching . Solid State Technol,1994,37(7):99～ 107.
  • 5[5]Friedmann J B.et al .Plasma-parameter dependence of thin-oxide damage from wafer charging during electroncyclotron-resonance plasma processing . IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 1997,10( 1 ): 154 ～166.
  • 6[6]C.Lin, H et al. Oxide thickness dependence of plasma charging damage . Microelectronics Reliability , 1999,39:357～364.
  • 7[7]Shuegraf K F, Park D, Hu C . Reliability of thin SiO2 at direct-tunneling voltages. International Electron DeviceMeeting Technical Digest, 1994,609～612.
  • 8[8]Paskaleva A,Atanassova E . Electrical stress and plasmainduced trap in SiO2. Microelectronics Reliability, 2000,40: 933～940.
  • 9[9]Cismaru C, Shohet J L. Plasma vacuum ultraviolet emission in an electron cyclotron resonance etcher.,.Applied physics letters, 1999, 74(18):2599～2601.

同被引文献2

引证文献1

二级引证文献2

半导体技术
2002年 第5期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部