摘要
综述了近年来对二维成核、位错生长、法向生长和三维成核生长机理研究的重要发展,并概述界面边界层调整结构和生长基元理论模型研究的最新成果。
Recent developments of the mechanism research of two-dimensional (2D) nucleation, dislocations, normal and three-dimensional (3D) nucleation of crystal growth are reviewed. The latest achievements in the adjusting mechanism of structure of interface boundary-layers and a model of growth unit theory are presented.
出处
《中国科学基金》
CSCD
北大核心
2002年第4期215-218,共4页
Bulletin of National Natural Science Foundation of China
基金
国家自然科学基金
关键词
晶体
生长机理
边界层结构
生长基元
位错
crystals, growth mechanism, structure adjusting, growth units
