L波段高功率放大器的设计

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摘要随着微波功率晶体管制造技术的飞速发展,金属氧化物半导体场效应管和砷化嫁场效应管的性能不断完善,为全固态发射机和功率放大器的设计提供了有力的保障。本文介绍了一种利用金属氧化物半导体场效应管实现L波段高功率放大器的设计方案,重点描叙了各级电路的实现方法,并对L波段宽带高功率放大器在设计中遇到的问题进行了分析。

作者张二剑屈鹏成

机构地区陕西凌云电器集团有限公司计量处

出处《电子世界》 2014年第16期446-446,共1页 Electronics World

关键词功率合成 LDMOS功率管全固态发射机

分类号 TN934.3 [电子电信—信号与信息处理]

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