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欧盟为5G打造Ⅲ-Ⅴ族CMOS技术被引量：1

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摘要欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合Ⅲ-Ⅴ族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。

出处《集成电路应用》 2016年第3期44-44,共1页 Application of IC

关键词 CMOS技术 Ⅲ-Ⅴ族欧盟互补金属氧化物半导体技术整合纳米半导体规格要求雷达系统

分类号 TN912.3 [电子电信—通信与信息系统]

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集成电路应用

2016年第3期

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