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基于参数退化的集成电路贮存寿命试验评价

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摘要 本文介绍了基于参数退化的寿命试验的理论与方法 .通过开展SRAM贮存寿命试验,并对试验数据处理与分析,验证了基于参数退化寿命试验方法与程序,试验系统以及试验数据分析方法的有效性。在有限的试验时间内,经过数据分析建立样品敏感参数退化模型,对样品的贮存寿命进行预计。
出处 《电子制作》 2014年第23期30-31,共2页 Practical Electronics
基金 北京市财政资金项目"创新工程Ⅱ-3:大规模集成电路可靠性高加速试验方法研究(编号:PXM2014_178102_000001)"支持
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Allen, Richard J.,Roesch, William J.Reliability prediction. The applicability of high temperature testing. Solid State Technology . 1990
  • 2Test Method Standard Microcircuits. MIL-STD-883G . 2006
  • 3Engineering Statistics Handbook. .

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