MOCVD法制备高温氧化物超导薄膜现状和展望
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1晓晔.采用MOCVD法在MgO（100）上沉积YBCO薄膜[J].电子材料快报,1995(12):5-6.
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2张万箱.高温氧化物超导体的应用前景[J].百科知识,1990(2):48-50.
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3金光宇,杨会文.固体氧化物燃料电池[J].电工电能新技术,1995,14(2):21-24. 被引量：3
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4施小忠,夏冠群,汪乐,莫金玑.MOCVD GaAs太阳电池的结特性[J].Journal of Semiconductors,1999,20(1):72-78.
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5张宏,吴艺雄,王智河,周锷猷,任琮欣,江炳尧,牟海川,柳襄怀.用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜[J].低温物理学报,1999,21(4):269-273. 被引量：1
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6章熙康,白国仁.用MOCVD方法在YSZ衬底上生长YBCO超导薄膜[J].薄膜科学与技术,1990,3(4):6-11.
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7张万箱.前途有望的高温氧化物超导体体系[J].百科知识,1989(11):47-50.
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8沙维.激光沉积高温氧化物超导薄膜[J].材料科学与工程,1993,11(2):49-50.
-
9罗乐,袁美萍,叶常青,钱长涛.Ni－Cr衬底上MOCVD法制备YSZ过渡层的研究[J].功能材料与器件学报,1996,2(4):252-255.
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10赵世勇,刘俊福,淳于宝珠.MOCVD—SnO_2薄膜对Si太阳能电池性能的影响[J].电源技术,1994,18(5):29-31. 被引量：1
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