摘要
过渡金属碳化物和氮化物(MXenes)具有高电导率、大范围可调的功函数等特性,在高性能光电探测器的构筑中有着广阔的应用前景。本文采用简单的旋涂方法在具有六边形微孔阵列的n-Si上制备了Ti_(3)C_(2)TMXenes肖特基接触电极,构建了垂直的Ti_(3)C_(2)T/硅微孔阵列肖特基结光电探测器。研究发现器件具有良好的整流特性,势垒高度为0.68 eV,在零偏压工作模式780 nm光照下,响应度为40.2 mA/W,响应速度为0.025 ms。基于器件良好的光电响应,获得了高质量的PPG信号,成功用于心率监测。
出处
《电子制作》
2022年第15期93-96,73,共5页
Practical Electronics
