摘要
集成电路芯片的内部结构目前业界内常用X射线和超声波来成像。但是这两种检测手段都有各自的劣势,如X射线产生电离辐射,会对人体产生危害;超声波检测依赖耦合剂,增加操作复杂性。近场扫描微波显微镜(Near-field Scanning Microwave Microscope,NSMM)作为新兴的成像技术,具有非接触性、无电离辐射等优点。针对芯片内部硅片成像设计了一款加工方便的电容加载谐振腔,作为NSMM的核心部件。利用电磁谐振腔微扰原理和多点S参数测量技术,实现了对集成电路芯片内部硅片的高分辨率成像。通过仿真和实验分析,本文认为NSMM成像技术在半导体工业中具有广泛的应用潜力。
出处
《电子制作》
2025年第5期3-7,共5页
Practical Electronics
基金
成都市科技厅项目(2023-JB00-00019-GX)
四川省重大科技专项(2023ZDZX0014)。
