双极晶体管电流增益与发射区杂质浓度关系的温度特性

Temperature Dependence of The Relationship Between H_(FE)and N_E in Bipolar Transistors

导出

摘要本文从理论和实验两方面对双极型晶体管电流增益H_(FE)与发射区杂质浓度N_E 的关系的温度特性进行了探讨.研究结果表明,H_(FE)与N_E 的相关程度与温度有关,在常温下,H_(FE)随N_E 的增加而增加;当温度升高时,H_(FE)将随N_E 的增加而更剧烈地增加.

作者郑茳魏同立

机构地区东南大学微电子中心

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第2期39-41,共3页 Microelectronics & Computer

关键词双极晶体管电流增益发射区杂质浓度温度特性 Bipolar Transistors Current Gain Emitter Doping Concentration Temperature Dependence

1张励,陈建平.单量子阱半导体激光器光增益与载流子浓度关系的修正[J].光纤通信,1999(4):31-33.
2张国炳,郝一龙,田大宇,刘诗美,王铁松,武国英.多晶硅薄膜应力特性研究[J].Journal of Semiconductors,1999,20(6):463-467. 被引量：25
3高中林,汪开源,唐洁影.电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系[J].东南大学学报（自然科学版）,1992,22(6):91-95.
4彭曼泽,李东升,李秋妍,田立萍,吴刚.基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系[J].红外技术,2013,35(6):364-367. 被引量：1
5龙井宇,张豪磊,任兆玉,白晋涛.Tm:Ho:YAG合作上转换速率理论研究[J].西北大学学报（自然科学版）,2010,40(3):405-409.
6戴显英,王伟,张鹤鸣,何林,张静,胡辉勇,吕懿.四探针法测量应变Si_(1-x)Ge_x掺杂浓度[J].西安电子科技大学学报,2003,30(2):255-258. 被引量：2
7张兵临,张骏,王建恩,梁二军.若丹明6G水溶液的反斯托克斯荧光谱[J].激光杂志,1990,11(2):65-68.
8刘颖刚,张伟.基于光纤Fresnel反射原理的溶液浓度测量方法研究[J].光电技术应用,2015,30(5):67-70.
9毛平,陈培毅.阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究[J].微电子学,2006,36(2):125-128. 被引量：2

微电子学与计算机

1991年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...