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GaAs光阴极材料的液相外延
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2
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摘要
利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10^(16)cm^(-3),少子扩散长度达2.1μm。
作者
张冰阳
何益民
朱李安
张济康
高鸿楷
侯洵
机构地区
中国科学院西安光机所
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期130-133,共4页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
砷化镓
光阴极
液相处延
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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稀有金属
1992年 第2期
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