分子束外延低温生长GaAs缓冲层

Low Temperature Growth of GaAs Buffer Layer by MBE

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摘要在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。

作者张允强彭正夫高翔曹苏榕孙娟

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期379-380,共2页 Research & Progress of SSE

关键词分子束外延生长砷化镓缓冲层

分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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固体电子学研究与进展

1992年第4期

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