期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
30MHz^1000MHz辐射骚扰场强实验室间比对分析 被引量:2
1
作者 何光平 朱浩冰 +1 位作者 林敬长 林振全 《电子质量》 2015年第3期57-61,共5页
该文详细介绍了30MHz^1000MHz辐射骚扰场强两家实验室间开展的比对试验过程,通过比对方案的设定、仪器设备的选用及利用En法对试验数据的统计分析,成功地完成了比对试验。比对结果的满意确保了申请参比的实验室30MHz^1000MHz辐射骚扰场... 该文详细介绍了30MHz^1000MHz辐射骚扰场强两家实验室间开展的比对试验过程,通过比对方案的设定、仪器设备的选用及利用En法对试验数据的统计分析,成功地完成了比对试验。比对结果的满意确保了申请参比的实验室30MHz^1000MHz辐射骚扰场强测试的准确性。 展开更多
关键词 电磁兼容 辐射骚扰 比对 能力验证提供方
在线阅读 下载PDF
海峡两岸电磁兼容检测技术比对和分析
2
作者 何光平 王水生 +4 位作者 钟冠平 陈建宏 黄炎松 林敬长 林振全 《电视技术》 北大核心 2012年第23期201-205,共5页
详细介绍了海峡两岸首次电磁兼容检测技术比对全过程,对两岸电磁兼容检测技术进行深入探讨,并对比对测试数据进行了详细的统计分析,为今后开展两岸检测技术、检验标准领域的合作、检验结果的互认及促进两岸间的经贸发展奠定了基础。
关键词 电磁兼容 骚扰电压 辐射骚扰 比对
在线阅读 下载PDF
双80椭圆焦点基准在移动互联产品检测中的应用
3
作者 钟冠平 陈建成 +3 位作者 林振全 何光平 洪笑梅 林敬长 《检验检疫学刊》 2014年第6期9-14,45,共7页
介绍了双80置信度法及椭圆焦点参考基准技术用于移动互联产品测试结果准确性和测试系统准确性的核查,以智能手机为例对电磁干扰测试准确性的关键技术、核查方法和测量布置进行了研究,新的测试和统计方法也适用于其他电气产品的测试。该... 介绍了双80置信度法及椭圆焦点参考基准技术用于移动互联产品测试结果准确性和测试系统准确性的核查,以智能手机为例对电磁干扰测试准确性的关键技术、核查方法和测量布置进行了研究,新的测试和统计方法也适用于其他电气产品的测试。该方法比Z值稳健统计法和En值法更适合电磁兼容领域,并在实际生产中取得了良好效果。 展开更多
关键词 双80置信度法 椭圆焦点 移动互联 电磁干扰 测试
在线阅读 下载PDF
双80基准技术在信息终端产品测试中的应用 被引量:1
4
作者 陈建成 钟冠平 +3 位作者 丘寿玉 何光平 林振全 林敬长 《电视技术》 北大核心 2015年第9期140-145,共6页
采用双80基准的综合指标技术用于液晶电视和智能手机的电磁干扰测试分析,以重复性测试差异的综合指标反映信息终端产品测试结果的准确性和测试系统的准确性。阐述了综合指标与测试结果差异大小之间的变化关系。该方法与传统的测试比对... 采用双80基准的综合指标技术用于液晶电视和智能手机的电磁干扰测试分析,以重复性测试差异的综合指标反映信息终端产品测试结果的准确性和测试系统的准确性。阐述了综合指标与测试结果差异大小之间的变化关系。该方法与传统的测试比对方法相比,更适合电磁兼容检测结果的统计和监控,在信息终端产品的测试应用中具有良好效果。 展开更多
关键词 双80基准 信息终端 电磁干扰
在线阅读 下载PDF
汽车电子产品EMC检测及认证研究分析 被引量:1
5
作者 林振全 张宇岳 +1 位作者 郑镭 王景阳 《电子技术与软件工程》 2023年第6期111-114,共4页
本文对国际上以欧洲为主的机动车电气设备的验证和EMC的规范进行了简要的阐述。在对比国内汽车电子EMC状况的基础上,本文认为,目前国内的汽车电子认证系统还无法对汽车电子的EMC进行完整的评估,因此,本文还对如何构建国内的汽车电子EMC... 本文对国际上以欧洲为主的机动车电气设备的验证和EMC的规范进行了简要的阐述。在对比国内汽车电子EMC状况的基础上,本文认为,目前国内的汽车电子认证系统还无法对汽车电子的EMC进行完整的评估,因此,本文还对如何构建国内的汽车电子EMC标准和有关新能源汽车的若干问题进行了探讨。 展开更多
关键词 电气设备 电子产品 EMC标准
在线阅读 下载PDF
GaP:Fe的M(?)ssbauer效应和EPR谱研究 被引量:2
6
作者 曾贻伟 杨锡震 +2 位作者 李智 林振全 邱菊 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期665-669,共5页
众所周知,GaP为宽禁带间接型半导体,是制作绿色发光二极管的主要材料之一;但在生长GaP单晶过程中很难避免杂质Fe的存在,这就使得用GaP制成的发光器件的效率难以提高。显然研究Fe在GaP中的行为,进而了解其对以GaP为基础制成的发光器件发... 众所周知,GaP为宽禁带间接型半导体,是制作绿色发光二极管的主要材料之一;但在生长GaP单晶过程中很难避免杂质Fe的存在,这就使得用GaP制成的发光器件的效率难以提高。显然研究Fe在GaP中的行为,进而了解其对以GaP为基础制成的发光器件发光效率影响的机制,无疑在应用上有重要的意义。近年来对Fe及其它过渡元素在半导体中行为的研究,无论从实验或理论方面均取得重要进展;如Fe杂质在GaP中取代Ga晶位,处于由4个近邻P原子形成的正四面体中心,具有四方对称性旧,通过EPR(电子顺磁共振)谱和其它实验证实了Fe在GaP中的电荷态分别为3d^5,3d^7和3d^6。我们应用M(?)ssbauer谱和EPR谱方法,研究Fe注入GaP后,在GaP中的行为和相应的物理机制;观测了不同退火条件下注入样品表面杂质Fe超精细相互作用参数的变化,并与Fe扩散入GaP的情况相对比,取得一些有趣的结果。 展开更多
关键词 注入 EPR谱 磷化镓 半导体 穆斯堡尔谱
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部