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大面积环状LaB_6阴极 被引量：13
1
作者 林祖伦 曹贵川 +2 位作者 张义德 陈泽祥 祁康成 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期305-308,共4页
介绍了一种用于管状电子束发射的大面积LaB6阴极电子源,其阴极发射面积为115 mm2,LaB6发射体用钼作基底,在LaB6与钼之间用耐高温的碳化物粘合剂填充以防止LaB6与钼发生反应。采用电子束轰击的方式加热LaB6发射体,当阴极温度为1 873 K时... 介绍了一种用于管状电子束发射的大面积LaB6阴极电子源,其阴极发射面积为115 mm2,LaB6发射体用钼作基底,在LaB6与钼之间用耐高温的碳化物粘合剂填充以防止LaB6与钼发生反应。采用电子束轰击的方式加热LaB6发射体,当阴极温度为1 873 K时,加热功率为173 W,直流发射电流密度达到40A/cm2。与用石墨加热LaB6发射体相比,该电子源加热功率降低了66%。阴极在室温下反复暴露于大气后其发射性能稳定。 展开更多
关键词 LaB6阴极 电子轰击 强流电子源 功函数 阳极耗散功率
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LaB_6在低压强氮气和氦气中的放电特性 被引量：4
2
作者 林祖伦 陈泽祥 +2 位作者 郭靖扬 曹贵川 祁康成 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1745-1748,共4页
研究了LaB6在1-10Pa氮气和氮气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明，电极直径为5mm的LaB6氮气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2．2kV、脉冲宽度10μs、频率13．3Hz下，脉冲峰值放电电流超... 研究了LaB6在1-10Pa氮气和氮气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明，电极直径为5mm的LaB6氮气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2．2kV、脉冲宽度10μs、频率13．3Hz下，脉冲峰值放电电流超过120A。氮气放电管在放电过程中，阴极表面有离子的清洗和活化作用，可以使电极的表面逸出功降低，提高放电管的发射能力和稳定性。LaB6作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点，可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。 展开更多
关键词 LaB6 气体放电 氮气放电管 高压脉冲开关
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多晶LaB_6阴极的脉冲热发射特性 被引量：3
3
作者 林祖伦 曹贵川 +1 位作者 祁康成 王小菊 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期873-876,共4页
采用多晶LaB6材料制成平板二极管阴极,阳极采用钼材料,阴极采用热传导与热辐射加热,加热体为石墨。实验研究了不同阴极温度、不同真空度下的脉冲发射特性,并对热发射稳定性进行了分析。结果表明:在动态真空系统中,阴极发射面积为0.0121 ... 采用多晶LaB6材料制成平板二极管阴极,阳极采用钼材料,阴极采用热传导与热辐射加热,加热体为石墨。实验研究了不同阴极温度、不同真空度下的脉冲发射特性,并对热发射稳定性进行了分析。结果表明:在动态真空系统中,阴极发射面积为0.0121 cm2,工作真空度为2×10-4Pa,阴极温度分别为1600,1650和1700℃,在脉冲宽度为40μs、重复频率为107 Hz的条件下,最大脉冲发射电流密度分别为34.0,44.0和53.8 A/cm2;2×10-4,5×10-4和2×10-3Pa压强下的发射能力没有明显的差异;脉冲宽度的变化不影响发射电流密度的变化。 展开更多
关键词 LaB6阴极 热电子发射 强流脉冲加速器 热发射特性 电流密度
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射频电子枪中LaB_6阴极的研究 被引量：7
4
作者 林祖伦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期591-595,共5页
一种用于射频电子枪中的ＬａＢ６热阴极已经研制成功。分别研究了（１００）、（１１０）、（１１１）晶向ＬａＢ６单晶的热发射特性。选用（１００）晶向的ＬａＢ６单晶材料作为发射体并用铼做基底材料。试验表明，在１８２３Ｋ工作条... 一种用于射频电子枪中的ＬａＢ６热阴极已经研制成功。分别研究了（１００）、（１１０）、（１１１）晶向ＬａＢ６单晶的热发射特性。选用（１００）晶向的ＬａＢ６单晶材料作为发射体并用铼做基底材料。试验表明，在１８２３Ｋ工作条件下，其热发射电流密度达到３０Ａ／ｃｍ２；在真空条件为５×１０－５Ｐａ下，寿命已达１００００小时以上。在室温下反复多次暴露大气后，其发射性能保持不变。 展开更多
关键词 热阴极 逸出功 射频电子枪 热发射 六硼化镧
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两种新图像放大算法研究 被引量：13
5
作者 李天倩 吴援明 +2 位作者 杨健君 林祖伦 梁恩志 《信号处理》 CSCD 2003年第3期234-236,222,共4页
对两种新图像放大算法,增强系数小波放大方法和带中值滤波的邻域交换内插方法进行了研究。通过主观视觉评价和客观比较发现,增强系数小波放大方法在处理一般图像时效果较好,带中值滤波的邻域交换内插方法在处理文字时效果较好。分析了原... 对两种新图像放大算法,增强系数小波放大方法和带中值滤波的邻域交换内插方法进行了研究。通过主观视觉评价和客观比较发现,增强系数小波放大方法在处理一般图像时效果较好,带中值滤波的邻域交换内插方法在处理文字时效果较好。分析了原因,提出了根据图像特征选用放大方法的构想。 展开更多
关键词 图像放大算法 图像信息处理 图像灰度值 小波放大 中值滤波 图像特征
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大电流密度碳纳米管场致发射阴极阵列的研制 被引量：10
6
作者 陈泽祥 曹贵川 +2 位作者 张强 朱炳金 林祖伦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2070-2073,共4页
设计了一种由TiN,Al,Fe和牺牲层构成的堆栈式催化剂层结构,采用微波等离子体化学气相沉积法实现碳纳米管阵列高速笔直生长。SEM和TEM结果表明,生长出来的碳纳米管为典型的多壁碳纳米管,长度和直径均匀,排列整齐并垂直于基底,生长速率大... 设计了一种由TiN,Al,Fe和牺牲层构成的堆栈式催化剂层结构,采用微波等离子体化学气相沉积法实现碳纳米管阵列高速笔直生长。SEM和TEM结果表明,生长出来的碳纳米管为典型的多壁碳纳米管,长度和直径均匀,排列整齐并垂直于基底,生长速率大于5μm/min,晶格缺陷少。场致发射测试结果表明:碳纳米管的发射阵列具有良好的电流发射稳定性,最大电流密度大于6 A/cm2。紫外光电子能谱法(UPS)测试出碳纳米管的功函数为4.59 eV,则相应的场致发射陈列的场增强因子大于1 400。 展开更多
关键词 碳纳米管 化学气相沉积法 场致发射 加速器
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单晶LaB_6场发射阵列的电化学腐蚀工艺 被引量：7
7
作者 王小菊 林祖伦 +2 位作者 祁康成 王本莲 蒋亚东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1195-1198,共4页
六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列... 六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列。讨论了单晶LaB6的电化学腐蚀机理。改变各种电化学腐蚀参数,包括电解液成分、电解液浓度、阳极所加电压,用电子扫描显微镜观察样品形貌。结果发现H3PO4是刻蚀单晶LaB6的理想电解液,它克服了过去电化学实验中经常遇到的尖锥各向异性问题。随着电解液浓度或阳极电压的增大,尖锥高度增加,但是基底表面变得更为粗糙。另一方面,阳极电压太小时,有横向刻蚀现象产生,不利于提高发射体的场增强因子。此外,在二极管结构中初步测试了LaB6尖锥场发射阵列的电流发射特性,在真空度2×10-4Pa、极间距离0.1 mm、阳极电压900 V下,发射电流达到13 mA。 展开更多
关键词 六硼化镧 单晶 场发射阵列阴极 电化学刻蚀
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电化学刻蚀法制备LaB_6场发射微尖锥阵列 被引量：6
8
作者 王小菊 林祖伦 +3 位作者 祁康成 陈泽祥 汪志刚 蒋亚东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期429-432,共4页
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较。结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性。在〈111〉面单晶LaB6基片上,... 采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较。结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性。在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性。该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 单晶LaB6 场发射阵列 电化学刻蚀 各向异性
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OLED驱动控制电路的研究 被引量：18
9
作者 蒋泉 成建波 +3 位作者 林祖伦 陈文斌 杨刚 陈吉欣 《光电子技术》 CAS 2003年第4期257-260,共4页
介绍了有机发光二极管器件 (OLED)的结构和制造工艺 ,和以单片机为核心设计的 OLED驱动控制电路 ,实现了对绿色 OLED(32 mm× 2 8mm)的驱动显示 ,分辨率为 64× 56,通过采用分隔矩阵结构 ,提高了器件的占空比 ,并降低了功耗。
关键词 OLED 有机发光二极管 驱动控制电路 分隔矩阵 占空比
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一种基于运动估计的隔行/逐行转换算法 被引量：5
10
作者 秦波 吴援明 +2 位作者 杨健君 林祖伦 程木海 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期131-135,共5页
针对从隔行扫描的电视场图像获得高质量的逐行扫描帧图像,提出了一种从隔行扫描到逐行扫描的转换算法。该算法通过在隔行/逐行转换中引入运动估计技术,找出相邻两场图像间的运动矢量,然后在场间行内插值时进行图像调整来消除由于图像错... 针对从隔行扫描的电视场图像获得高质量的逐行扫描帧图像,提出了一种从隔行扫描到逐行扫描的转换算法。该算法通过在隔行/逐行转换中引入运动估计技术,找出相邻两场图像间的运动矢量,然后在场间行内插值时进行图像调整来消除由于图像错位引起的运动模糊,生成具有高垂直分辨率的逐行图像。算法中针对这一特定应用场合,设计了一种运动估计方法。 展开更多
关键词 运动估计 隔行/逐行转换算法 电视图像处理
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LaB_6场发射尖锥的场发射特性研究(英文) 被引量：4
11
作者 祁康成 林祖伦 +2 位作者 曹贵川 成建波 Daniel den Engelsen 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期511-514,共4页
报道了六硼化镧（LaB6）场发射尖锥的场发射性能。采用电化学腐蚀方法制作了LaB6场发射尖锥，并在10^-2～10^-7Pa的宽真空度范围内对单尖LaB6场发射二极管的发射特性进行了测试。发现残余气体电离产生的离子轰击对LaB6场发射阴极尖锥表... 报道了六硼化镧（LaB6）场发射尖锥的场发射性能。采用电化学腐蚀方法制作了LaB6场发射尖锥，并在10^-2～10^-7Pa的宽真空度范围内对单尖LaB6场发射二极管的发射特性进行了测试。发现残余气体电离产生的离子轰击对LaB6场发射阴极尖锥表面起到了离子清洗作用，使LaB6场发射尖锥在低真空工作后发射电流大幅度提高。离子轰击是一种适用于LaB6场发射阴极的激活处理方法。 展开更多
关键词 场发射 六硼化镧(LaB6) 尖锥 离子轰击 激活
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掺钪钨粉的制备研究 被引量：5
12
作者 曹贵川 林祖伦 +1 位作者 祁康成 王小菊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期54-55,61,共3页
采用液-固掺杂工艺,以Sc(NO3)3水溶液制备了Sc2O3掺杂的钨粉,研究了所获钨粉的形貌、Sc2O3的分布。扫描电镜显示掺杂钨粉颗粒表面和裂缝中均匀附着了Sc2O3粉末,选区能谱分析证明Sc2O3在钨颗粒的表面覆盖均匀。Sc2O3与钨接触面增多,增大... 采用液-固掺杂工艺,以Sc(NO3)3水溶液制备了Sc2O3掺杂的钨粉,研究了所获钨粉的形貌、Sc2O3的分布。扫描电镜显示掺杂钨粉颗粒表面和裂缝中均匀附着了Sc2O3粉末,选区能谱分析证明Sc2O3在钨颗粒的表面覆盖均匀。Sc2O3与钨接触面增多,增大了钪与钨的结合力,该掺杂钨粉能够用于制备热电子发射均匀、抗离子轰击能力强的含钪钡钨阴极。 展开更多
关键词 氧化钪 钡钨阴极 钨粉 掺杂
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方酸作桥联配体的双核铕螯合物的电致发光 被引量：2
13
作者 魏孝强 朱卫国 +5 位作者 杨爱丽 李龙章 谢明贵 杨刚 林祖伦 成建波 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期388-392,共5页
利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕螯合物Eu2 (DBM) 4(Sq)Phen2 .用TPD作空穴传输材料、Eu2 (DBM ) 4(Sq) Phen2 作发光材料和载流子传输材料、8 羟基喹啉和铝 (AlQ)作电子传输材料 ,设计了不同电致发光器件结构 ,研究了器件的光... 利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕螯合物Eu2 (DBM) 4(Sq)Phen2 .用TPD作空穴传输材料、Eu2 (DBM ) 4(Sq) Phen2 作发光材料和载流子传输材料、8 羟基喹啉和铝 (AlQ)作电子传输材料 ,设计了不同电致发光器件结构 ,研究了器件的光电特性 ,结果表明Eu2 (DBM) 4(Sq)Phen2 是一种同时具有空穴和电子传输能力的红色电致发光材料 .在器件结构为ITO/TPD ,5 0nm/Eu2 (DBM) 4(Sq)Phen2 ,2 0nm/AlQ ,5 0nm/LiF ,1nm/Al,2 0 0nm时 ,获得了在 16V ,6 9mA下有最大亮度 91cd/m2 展开更多
关键词 桥联配体 双核铕螯合物 电致发光 方酸 电致发光 光致发光材料 有机电致发光器件
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电子束蒸发沉积六硼化镧薄膜的逸出功(英文) 被引量：2
14
作者 祁康成 王小菊 +2 位作者 林祖伦 陈文彬 曹贵川 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期181-184,共4页
六硼化镧(LaB6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB6薄膜的逸出功,采用电子束蒸发... 六硼化镧(LaB6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB6薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析。通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB6薄膜的逸出功,与块状LaB6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB6薄膜。 展开更多
关键词 六硼化镧 逸出功 电子束蒸发 热发射 场发射
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微腔有机发光器件的设计 被引量：2
15
作者 陈吉欣 冉启钧 +2 位作者 林祖伦 黄再生 陈文彬 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期348-350,共3页
介绍了微腔有机发光器件(MOLED)的设计思想、方法和结果。该器件由Alq3作为电子传输层和发光层,TPD作为空穴传输层,ITO作为空穴注入电极,两侧分别分布布喇格反射镜(DBR)和由Al电极形成的金属反射镜。理论设计结果表明,MOLED的峰值光强增... 介绍了微腔有机发光器件(MOLED)的设计思想、方法和结果。该器件由Alq3作为电子传输层和发光层,TPD作为空穴传输层,ITO作为空穴注入电极,两侧分别分布布喇格反射镜(DBR)和由Al电极形成的金属反射镜。理论设计结果表明,MOLED的峰值光强增强19倍,谱线半宽度从100nm变窄到10nm左右。 展开更多
关键词 微腔有机发光器件 设计 MOLED 布喇格反射镜 金属反射镜
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场发射栅孔阵列的制备 被引量：2
16
作者 祁康成 董建康 +2 位作者 林祖伦 曹贵川 成建波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期140-142,共3页
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶... 采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液,刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加。同时,由于刻蚀溶液具有较高的Si/SiO2刻蚀选择比,栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度,栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度。通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度,采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列。 展开更多
关键词 场发射阵列 栅极孔 局部氧化 湿法刻蚀
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新型彩色LCOS头盔微显示器光学系统 被引量：3
17
作者 黄磊 林祖伦 +2 位作者 董戴 马亚林 赵秋玲 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期482-485,共4页
通过对实像显示技术和虚像显示技术的区别的简要介绍,阐述了头盔微显示器在未来战场上对数字化士兵的重要作用以及头盔微显示技术的研发意义。通过对LCOS头盔微显示器显示原理的阐述,着重介绍了一种新型彩色LCOS头盔微显示器整个光学系... 通过对实像显示技术和虚像显示技术的区别的简要介绍,阐述了头盔微显示器在未来战场上对数字化士兵的重要作用以及头盔微显示技术的研发意义。通过对LCOS头盔微显示器显示原理的阐述,着重介绍了一种新型彩色LCOS头盔微显示器整个光学系统设计方面的最新研究成果。 展开更多
关键词 虚拟显示 战场态势 硅上液晶(LCOS) 偏振分光系统 目镜光学系统
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AMOLED像素电路的设计与仿真研究 被引量：3
18
作者 沈匿 林祖伦 +3 位作者 陈文彬 祁康成 王小菊 杨隆杰 《电子器件》 CAS 2011年第5期550-554,共5页
为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并... 为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流变化为0.01μA,小于一个灰阶对应的电流,满足显示的要求。 展开更多
关键词 AMOLED 四管像素驱动电路 仿真 阈值电压漂移 多晶硅薄膜晶体管
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溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究 被引量：4
19
作者 袁红梅 林祖伦 +1 位作者 陈文彬 韦新颖 《电子器件》 CAS 2010年第1期5-9,共5页
采用溶胶-凝胶工艺,用提拉法在玻璃基底上制备了ITO透明导电薄膜。使用四探针测试仪和紫外可见光分光光度计测量薄膜的方阻和透过率,并采用XRD、SEM等测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征。结果表明,掺锡比例和热处理温度对... 采用溶胶-凝胶工艺,用提拉法在玻璃基底上制备了ITO透明导电薄膜。使用四探针测试仪和紫外可见光分光光度计测量薄膜的方阻和透过率,并采用XRD、SEM等测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征。结果表明,掺锡比例和热处理温度对薄膜的导电性具有重要影响,在掺Sn量为15%(原子分数比)、450℃热处理时薄膜的方阻最小;薄膜的透过率曲线随掺锡比例的增加向紫外方向移动。随着热处理时间、镀膜层数的增加,薄膜的方阻先减小,最后趋于一稳定值,在可见光范围内薄膜的透过率变化较小。 展开更多
关键词 ITO 溶胶—凝胶 方阻 透过率
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CMOS图像传感器光电二极管模型 被引量：2
20
作者 秦臻 林祖伦 +2 位作者 叶祥平 祁康成 王小菊 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第6期1039-1042,共4页
为了更好的对CMOS图像传感器中光电二极管的光电转换物理现象进行研究,需要建立正确合适的光电二极管数学物理模型。通过少数载流子稳态连续方程建立光电二极管的一维物理模型,求解方程后,代入参数在MATLAB中对两层结构的n+/p-sub型和n-... 为了更好的对CMOS图像传感器中光电二极管的光电转换物理现象进行研究,需要建立正确合适的光电二极管数学物理模型。通过少数载流子稳态连续方程建立光电二极管的一维物理模型,求解方程后,代入参数在MATLAB中对两层结构的n+/p-sub型和n-well/p-sub型,以及三层结构的p+/n-well/p-sub型二极管进行了计算模拟,得到了3种二极管响应率与波长的关系曲线。最后将结果与实际值进行了对比分析,确认了模型能够在一定程度上反映实际的物理情况。 展开更多
关键词 CMOS 图像传感器 光电流 光电二极管 吸收系数
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