不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响

1

作者 武一宾 杨瑞霞 +2 位作者 商耀辉 牛晨亮 王健 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第11期663-667,共5页

利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷... 利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷比。测试结果还表明不对称势垒厚度的RTD在偏压情况下,当电子从较薄势垒向较厚势垒穿透时,更容易获得高的电流峰谷比,反之可获得较大的负微分电阻电压区域。 展开更多

关键词 不对称势垒 共振隧穿二极管(RTD) 电流峰谷比(PVCR) 负微分电阻(NDR) 分子束外延(MBE) 磷化铟

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InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究

2

作者 武一宾 商耀辉 +2 位作者 陈昊 芮振璞 袁秀丽 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期139-141,158,共4页

从 3个层面研究了分子束外延 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P功率 HEMT结构材料生长技术。首先 ,通过观察生长过程的高能电子衍射 (RHEED)图谱 ,确立了 Ga0 .47In0 .53As/ In P结构表面层的 MBE RHEED衍射工艺相图 ,据此生... 从 3个层面研究了分子束外延 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P功率 HEMT结构材料生长技术。首先 ,通过观察生长过程的高能电子衍射 (RHEED)图谱 ,确立了 Ga0 .47In0 .53As/ In P结构表面层的 MBE RHEED衍射工艺相图 ,据此生长的单层 Si-doped Ga0 .47In0 .53As(40 0 nm) / In P室温迁移率可达 6960 cm2 / V· s及电子浓度 1 .3 3 E1 7cm- 3。其次 ,经过优化结构参数 ,低噪声 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P HEMT结构材料的 Hall参数达到μ30 0 K≥ 1 0 0 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 2 .5 E1 2 cm- 2 。最后 ,在此基础之上 ,降低 spacer的厚度、在 Ga0 .47In0 .53As沟道内插入 Si平面掺杂层并增加势垒层的掺杂浓度获得了功率 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In PHEMT结构材料 ,其 Hall参数达到μ30 0 K≥ 80 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 4 .0 E1 2 cm- 2 。 展开更多

关键词 分子束外延 高电子迁移率晶体管 铝铟砷 铬铟砷 沟道掺杂 InP HEMT

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4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析 被引量：3

3

作者 马永强 武一宾 +5 位作者 杨瑞霞 齐国虎 李若凡 商耀辉 陈昊 牛晨亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期581-584,共4页

用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)... 用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。 展开更多

关键词 X射线双晶衍射 摇摆曲线 4H-SIC 双层原子结构

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太赫兹量子级联激光器有源区有限元模拟 被引量：2

4

作者 王建峰 武一宾 +6 位作者 王健 商耀辉 牛晨亮 师巨亮 赵辉 王中旭 韩颖 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第1期29-33,63,共6页

采用有限元分析法解决了太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区模拟问题。由于InP基差频THz QCL有源区为千层纳米结构,无法拆分实验探索,因此模拟分析显得尤为必要。首先列出有源区量子结构的薛定谔方程,而后采用Galerkin有限元法改写薛... 采用有限元分析法解决了太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区模拟问题。由于InP基差频THz QCL有源区为千层纳米结构,无法拆分实验探索,因此模拟分析显得尤为必要。首先列出有源区量子结构的薛定谔方程,而后采用Galerkin有限元法改写薛定谔方程,再根据连续性和边界条件,得到本征值矩阵方程,最后采用Matlab写出运算程序求解本征值矩阵方程,求出波函数。针对不同有源区量子结构,设定材料、组分、厚度和周期数及外加偏压等参数,即可得到波函数模方、能级、频率和波长等模拟结果。选取InP基差频THz QCL结构进行验证,结果表明此模型切实可行,其拓展应用也可以解决GaAs THz QCL模拟问题。 展开更多

关键词 有限元分析 太赫兹量子级联激光器(THz QCL) MATLAB 薛定谔方程 差频

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纳电子器件 被引量：1

5

作者 郭荣辉 赵正平 +3 位作者 刘玉贵 武一宾 吕苗 杨拥军 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期557-561,共5页

随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转... 随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件 。 展开更多

关键词 纳电子器件 介观系统 量子干涉器件 共振隧穿器件 单电荷转移器件 工作机理

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GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构的选择湿法腐蚀 被引量：1

6

作者 杨瑞霞 陈宏江 +2 位作者 武一宾 杨克武 杨帆 《电子器件》 CAS 2007年第2期384-386,390,共4页

用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5∶1到2∶1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.... 用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5∶1到2∶1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.在25℃.温度条件下,当腐蚀液体积比为1.5∶1时,对Al摩尔分数x为0.2、0.3和1的GaAs/AlxGa1-xAs系统腐蚀比分别为45、74和大于200,表面腐蚀形貌均匀平整.将这种选择腐蚀技术用于GaAsMISFET的栅槽工艺,获得了良好的阈值电压均匀性. 展开更多

关键词 柠檬酸 GaAs/AlxGa1-xAs系统 选择性湿法腐蚀 GAAS MESFET

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InP衬底AlAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As RTD的研制

7

作者 高金环 杨瑞霞 +3 位作者 武一宾 刘岳巍 商耀辉 杨克武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期573-575,共3页

报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105A/cm2,峰-谷电流比为7.4,... 报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105A/cm2,峰-谷电流比为7.4,是国内报道的首例InP材料体系RTD器件. 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 INP衬底 峰-谷电流比

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GaAs基共振隧穿二极管的研究 被引量：1

8

作者 张磊 杨瑞霞 +2 位作者 武一宾 商耀辉 高金环 《电子工艺技术》 2007年第1期31-33,37,共4页

对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)进行了研究,首先用分子束外延(MBE)方法进行A lAs/GaAs/InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光(PL)方法对结构材料进行了测试分析,其结果显示,较好的外延结构材料的PL谱线半峰宽达到62.6 n... 对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)进行了研究,首先用分子束外延(MBE)方法进行A lAs/GaAs/InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光(PL)方法对结构材料进行了测试分析,其结果显示,较好的外延结构材料的PL谱线半峰宽达到62.6 nm。最后通过制成RTD器件对材料进行验证,器件测试结果表现出良好的直流特性。 展开更多

关键词 RTD 光致荧光 MBE

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共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析

9

作者 张磊 杨瑞霞 +2 位作者 武一宾 商耀辉 高金环 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期737-740,共4页

用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2·4,峰值电流密度达到36·8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲... 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2·4,峰值电流密度达到36·8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析. 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 I-V特性曲线 峰谷电流比 负微分电阻

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InAs/GaAs系列量子点研究

10

作者 王建峰 商耀辉 +2 位作者 武一宾 牛晨亮 卜夏正 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期410-413,共4页

为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As... 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。 展开更多

关键词 自组装量子点 垂直耦合量子点 阱内量子点 柱状岛量子点 S-K模式 分子束外延 光致发光谱

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X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析

11

作者 马永强 武一宾 +5 位作者 杨瑞霞 李若凡 商耀辉 牛晨亮 卜夏正 王建峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1042-1044,1081,共4页

X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaA... X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。 展开更多

关键词 超晶格 分子束外延 X射线双晶衍射 相干长度

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InP材料体系RTD的研制

12

作者 高金环 杨瑞霞 +4 位作者 武一宾 贾科进 商耀辉 张磊 杨克武 《电子器件》 CAS 2007年第4期1168-1170,共3页

报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为... 报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为7.4,峰值电流密度(Jp)为1.06×105A/cm-2,是国内首例成功的InP材料体系RTD. 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 INP衬底 PL谱 峰谷电流比

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逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响

13

作者 李若凡 武一宾 +2 位作者 马永强 张志国 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期56-58,72,共4页

从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时... 从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1．53×10^13cm^-2；当等效外加电压分别为10和15v时，2DEG浓度降低至1．04×10^13cm^-2和0．789×10^13cm^-2，可见当等效外电压由0～15V变化时，2DEG浓度下降了48．4％。 展开更多

关键词 氮化镓 Poisson-Schrfidinger方程 逆压电极化效应 2DEG浓度

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电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量

14

作者 李若凡 武一宾 +3 位作者 杨瑞霞 马永强 商耀辉 牛晨亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期809-811,共3页

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,... 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法。通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果。 展开更多

关键词 电化学-CV法 载流子浓度 误差分析 修正算法

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GaAs MISFET制备中的选择性腐蚀研究

15

作者 陈宏江 杨瑞霞 +1 位作者 武一宾 杨克武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期22-25,共4页

研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体... 研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。 展开更多

关键词 选择湿法腐蚀 柠檬酸 调制掺杂沟道 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管

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隧穿型量子效应薄膜材料制备技术

16

作者 商耀辉 武一宾 +4 位作者 卜夏正 牛晨亮 王建峰 李亚丽 张雄文 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期15-17,共3页

探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶... 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶体结构和晶体表面,并分析了测试结果和器件验证结果,最终得出整套隧穿型量子效应薄膜材料制备技术. 展开更多

关键词 分子束外延 共振隧穿二极管 量子隧穿效应

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MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究

17

作者 张磊 杨瑞霞 +2 位作者 武一宾 商耀辉 高金环 《电子器件》 CAS 2007年第4期1184-1187,共4页

用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进... 用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2. 展开更多

关键词 RTD X射线双晶衍射 MBE 回摆曲线

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MBE Al源炉升温和降温工艺探讨

18

作者 武一宾 张文俊 +4 位作者 张允清 柏亚青 崔立奇 李明杰 周章文 《半导体情报》 1991年第6期95-97,共3页

分析了在-196～660℃范围内温度及其变化速度对PBN坩埚和Al的机械性能的影响,进而分析了Al坩埚的热应力分布及变化。确定了Al坩埚的维持温度,指明了常用的升温和降温速度对Al坩埚破裂的影响并不明显。

关键词 分子束外延 坩埚 热应力 升温 降温

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GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器光谱特性的研究 被引量：7

19

作者 孙莹 杨瑞霞 +2 位作者 武一宾 吕晶 王风 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期264-268,共5页

采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量子阱红外探测器的响应光谱特性,并通过薛定谔方程和泊松方程的求... 采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量子阱红外探测器的响应光谱特性,并通过薛定谔方程和泊松方程的求解,对掺杂对量子阱能级的影响做了研究。结果表明,由于应力导致的能带非抛物线性使得阱中能级发生了变化,从而引起吸收峰向高能方向发生了漂移,而阱中进行适度的掺杂没有对量子阱能级造成影响,光致发光谱实验结果与之吻合较好。在光电流谱的实验分析基础之上,分析了量子阱阱宽、Al组分与峰值探测波长λ的关系,为量子阱红外探测器的设计优化提供了参考。 展开更多

关键词 量子阱红外探测器 光谱特性 阱中能级 非抛物线性

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GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究 被引量：1

20

作者 吕晶 杨瑞霞 +1 位作者 武一宾 孙莹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期116-120,共5页

设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡... 设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡法对实验结果加以验证。结果表明,平整异质结界面生长技术能有效控制高迁移率2DEG浓度分布;与范德堡法相比,非接触霍尔方法无破坏性、测试结果可靠,该结果可以用来分析多层结构的PHEMT外延材料中InGaAs沟道界面的生长情况。 展开更多

关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 非接触霍尔测试 双平面掺杂 二维电子气面密度 霍尔测试

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