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BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结光催化剂的一步水热法制备及性能
被引量:
6
1
作者
陈永胜
郑健飞
+2 位作者
朱思龙
熊梦杨
聂龙辉
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1828-1838,共11页
通过一步水热法成功地制备了BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结复合光催化剂。采用多种表征手段对样品物理属性进行了表征,包括X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、N2吸附-脱附等温线、X射线光电子能谱(XPS)、紫外...
通过一步水热法成功地制备了BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结复合光催化剂。采用多种表征手段对样品物理属性进行了表征,包括X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、N2吸附-脱附等温线、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)。样品光催化活性通过可见光(λ>420 nm)降解罗丹明B进行评价,考察了BiPO_(4)含量对所制备光催化材料活性的影响,通过捕获实验确定光催化反应中的主要活性物种,并提出了其光催化机理。研究结果表明,BiPO_(4)的最佳含量(物质的量分数)为10%,此时所制备催化剂活性最好,其反应速率常数为0.14 min-1,约为纯BiOBr的3.7倍,且3次循环使用后仍保持较高的催化活性。催化活性的提高主要由于BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结的形成,提高了光生载流子的分离效率,从而提高了光催化活性。同时,对污染物吸附能力的提高也起到促进作用。空穴和超氧基阴离子自由基是光催化过程中的主要活性物种,3种活性物种作用大小依次为空穴>超氧阴离子自由基>羟基自由基。
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关键词
BiOBr
BiPO_(4)
异质结
光催化
可见光
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职称材料
稀释气体流量对外延生长3C-SiC薄膜的影响
2
作者
朱佩佩
熊梦杨
涂溶
《船电技术》
2022年第10期28-31,共4页
3C-SiC具有带隙宽、临界击穿电场高、导热率高、载流子饱和漂移速率高等优异的物理特性,被广泛应用于大功率电子器件。3C-SiC(001)单晶薄膜具有最高的电子迁移率,能显著提高大功率场效应晶体管(MOSFET)器件的性能。本论文采用激光化学...
3C-SiC具有带隙宽、临界击穿电场高、导热率高、载流子饱和漂移速率高等优异的物理特性,被广泛应用于大功率电子器件。3C-SiC(001)单晶薄膜具有最高的电子迁移率,能显著提高大功率场效应晶体管(MOSFET)器件的性能。本论文采用激光化学气相沉积技术在Si(001)衬底异质外延3C-SiC薄膜,研究了稀释气体流量对3C-SiC(001)薄膜的影响。当氢气流量为0.5 slm时,薄膜具有最大的电子迁移率590 cm^(2)V^(-1)S^(-1)。
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关键词
3C-SIC
大功率电子器件
激光化学气相沉积
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职称材料
题名
BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结光催化剂的一步水热法制备及性能
被引量:
6
1
作者
陈永胜
郑健飞
朱思龙
熊梦杨
聂龙辉
机构
湖北工业大学材料与化学工程学院
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1828-1838,共11页
基金
国家自然科学基金(No.51572074)
湖北省绿色轻质材料重点实验室开放课题(No.201907B09,201710A12)
大学生创新创业项目(No.201810500048)资助。
文摘
通过一步水热法成功地制备了BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结复合光催化剂。采用多种表征手段对样品物理属性进行了表征,包括X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、N2吸附-脱附等温线、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)。样品光催化活性通过可见光(λ>420 nm)降解罗丹明B进行评价,考察了BiPO_(4)含量对所制备光催化材料活性的影响,通过捕获实验确定光催化反应中的主要活性物种,并提出了其光催化机理。研究结果表明,BiPO_(4)的最佳含量(物质的量分数)为10%,此时所制备催化剂活性最好,其反应速率常数为0.14 min-1,约为纯BiOBr的3.7倍,且3次循环使用后仍保持较高的催化活性。催化活性的提高主要由于BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结的形成,提高了光生载流子的分离效率,从而提高了光催化活性。同时,对污染物吸附能力的提高也起到促进作用。空穴和超氧基阴离子自由基是光催化过程中的主要活性物种,3种活性物种作用大小依次为空穴>超氧阴离子自由基>羟基自由基。
关键词
BiOBr
BiPO_(4)
异质结
光催化
可见光
Keywords
BiOBr
BiPO_(4)
heterojunction
photocatalysis
visible light
分类号
O643.36 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
稀释气体流量对外延生长3C-SiC薄膜的影响
2
作者
朱佩佩
熊梦杨
涂溶
机构
武汉船用电力推进装置研究所
武汉理工大学
出处
《船电技术》
2022年第10期28-31,共4页
文摘
3C-SiC具有带隙宽、临界击穿电场高、导热率高、载流子饱和漂移速率高等优异的物理特性,被广泛应用于大功率电子器件。3C-SiC(001)单晶薄膜具有最高的电子迁移率,能显著提高大功率场效应晶体管(MOSFET)器件的性能。本论文采用激光化学气相沉积技术在Si(001)衬底异质外延3C-SiC薄膜,研究了稀释气体流量对3C-SiC(001)薄膜的影响。当氢气流量为0.5 slm时,薄膜具有最大的电子迁移率590 cm^(2)V^(-1)S^(-1)。
关键词
3C-SIC
大功率电子器件
激光化学气相沉积
Keywords
3C-SiC
high power electronic system
laser chemical vapor deposition
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BiOBr/BiPO_(4) p-n异质结光催化剂的一步水热法制备及性能
陈永胜
郑健飞
朱思龙
熊梦杨
聂龙辉
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
稀释气体流量对外延生长3C-SiC薄膜的影响
朱佩佩
熊梦杨
涂溶
《船电技术》
2022
0
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职称材料
已选择
0
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引证文献
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