温阶环境下基于桥压测温的压力传感器温度补偿

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作者 潘岚青 程新利 +1 位作者 王冰 谢南南 《仪表技术与传感器》 北大核心 2025年第3期15-19,共5页

为了克服压阻式压力传感器在温度分布不均匀环境中温度补偿效果差、压力测量精度低的问题,设计使用惠斯登电桥的桥臂电压测量力敏结构的实际温度,提高传感器温度补偿效果和测量精度。实验采用对比法,实验组和对照组采用相同型号的压力... 为了克服压阻式压力传感器在温度分布不均匀环境中温度补偿效果差、压力测量精度低的问题,设计使用惠斯登电桥的桥臂电压测量力敏结构的实际温度,提高传感器温度补偿效果和测量精度。实验采用对比法,实验组和对照组采用相同型号的压力传感器、处理硬件电路、温度补偿算法及补偿温度点,但分别使用Pt1000与桥压测温2种方式进行传感器温度系数补偿。实验发现:高低温实验箱稳态温度环境下,2种方式压力测量精度接近;但在温度变化及温阶环境下,采用Pt1000测温补偿方式的传感器精度出现较大波动,而采用桥压测温补偿方式的传感器精度基本不受影响。实验证明:在复杂温度变化环境下,使用桥压测温补偿方式可以有效保障压力传感器测量精度。 展开更多

关键词 桥压测温 温度补偿 硅压阻式压力传感器 温阶

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大学物理课程教学质量提升措施探索 被引量：1

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作者 李阳 毛红敏 +2 位作者 程新利 李静妮 柳军 《科技视界》 2022年第21期86-88,共3页

文章从大学物理课程教学的特点出发,深入分析存在的重难点问题,结合本科大学物理学习模式,从教学内容、情境课堂、思政课堂等方面对大学物理教学进行重点研究,从而提升大学物理教学质量,实现创新型人才的培养。

关键词 大学物理 教学改革 情境课堂 混合式教学 课程思政

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光通信用厚膜SOI材料的制备与研究

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作者 程新利 林志浪 +3 位作者 王永进 肖海波 张峰 邹世昌 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第4期432-436,共5页

利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。采用Secco液腐蚀、椭圆偏振仪(SE)、扩展电阻(SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因。外延层电阻率纵向分布均匀,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的... 利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。采用Secco液腐蚀、椭圆偏振仪(SE)、扩展电阻(SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因。外延层电阻率纵向分布均匀,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整。用制备的厚膜SOI材料制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验,得到了传输损耗为0.4dB/cm的波导结构。 展开更多

关键词 厚膜SOI材料 缺陷 光波导

原文传递

非晶Fe-Zr-B薄膜穆斯堡尔谱学研究

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作者 程新利 许裕生 +1 位作者 徐炜新 金慧娟 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期146-150,共3页

用X射线衍射分析、X射线光电子能谱(XPS)和穆斯堡尔谱学研究了直流磁控溅射法制备的Fe-Zr-B薄膜。X射线衍射分析结果表明制备态的薄膜是非晶的;X射线光电子能谱(XPS)结果表明样品表面氧化较明显,深层部分Fe, Zr, B结合占主导地位;穆斯... 用X射线衍射分析、X射线光电子能谱(XPS)和穆斯堡尔谱学研究了直流磁控溅射法制备的Fe-Zr-B薄膜。X射线衍射分析结果表明制备态的薄膜是非晶的;X射线光电子能谱(XPS)结果表明样品表面氧化较明显,深层部分Fe, Zr, B结合占主导地位;穆斯堡尔谱学结果表明薄膜中Fe原子周围Zr、B原子的存在使Fe原子核内场值有所下降并导致超精细场分布P(H)出现双峰结构,薄膜中存在两种不同的局域微结构。 展开更多

关键词 Fe-Zr-B合金 非晶薄膜 直流磁控溅射 穆斯堡尔谱学

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氧化浓缩法制备SGOI材料

5

作者 程新利 沈娇艳 潘涛 《苏州科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2012年第4期12-16,共5页

利用SiGe/SOI材料的高温常压氧化技术,研制了SGOI材料。通过透射电镜和Raman光谱分析,获得了SGOI材料的微结构和成份特性。实验结果表明,经过高温氧化,原来的SiGe/SOI材料中的SOI层转变成SiGe层,SiGe层的成分分布均匀,并且通过产生位错... 利用SiGe/SOI材料的高温常压氧化技术,研制了SGOI材料。通过透射电镜和Raman光谱分析,获得了SGOI材料的微结构和成份特性。实验结果表明,经过高温氧化,原来的SiGe/SOI材料中的SOI层转变成SiGe层,SiGe层的成分分布均匀,并且通过产生位错等缺陷释放应变,因而形成了具有高度弛豫SiGe层的SGOI材料。 展开更多

关键词 绝缘体上锗硅 氧化 弛豫

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高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究

6

作者 程新利 张峰 《苏州科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2006年第1期39-44,共6页

对SOI(绝缘体上的硅)衬底上外延生长的SiGe层进行了研究,并利用透射电镜、AES、Raman光谱、X-ray多晶衍射等技术对SiGe/SOI材料做了表征。结果表明:制备的材料中Ge/Si元素分布均匀,SiGe层是高度弛豫的,SiGe层中应变通过产生失配位错被... 对SOI(绝缘体上的硅)衬底上外延生长的SiGe层进行了研究,并利用透射电镜、AES、Raman光谱、X-ray多晶衍射等技术对SiGe/SOI材料做了表征。结果表明:制备的材料中Ge/Si元素分布均匀,SiGe层是高度弛豫的,SiGe层中应变通过产生失配位错被释放出来。 展开更多

关键词 SOI SiGe/SOI 应变 弛豫

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退火对SOI材料电阻率的影响

7

作者 程新利 《苏州科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2008年第2期6-10,共5页

在SIMOX SOI材料外延生长硅层时,存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明,SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火,结果表明:合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率,对外延硅层后的SOI材料进行退火,也可以部分降低外延层电阻率,... 在SIMOX SOI材料外延生长硅层时,存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明,SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火,结果表明:合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率,对外延硅层后的SOI材料进行退火,也可以部分降低外延层电阻率,减少外延层中高阻层厚度。 展开更多

关键词 SOI材料 退火 电阻率

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Fe-Zr-B非晶薄膜制备与性能研究

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作者 程新利 许裕生 +2 位作者 徐炜新 金惠娟 章靖国 《上海钢研》 2001年第2期13-17,共5页

本文研究了采用直流磁控溅射法制备的Fe-Zr-B非晶薄膜,用X-射线衍射,透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜的结构。X射线光电子能谱(XPS)结果表明样品表面氧化较明显,深层部分Fe,zr,B结合占主导地位。用振动样品磁场计... 本文研究了采用直流磁控溅射法制备的Fe-Zr-B非晶薄膜,用X-射线衍射,透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜的结构。X射线光电子能谱(XPS)结果表明样品表面氧化较明显,深层部分Fe,zr,B结合占主导地位。用振动样品磁场计测量了薄膜的磁性能,并与用化学还原法制备的非晶Fe-Zr-B超细粉做了比较。 展开更多

关键词 Fe-Zr-B合金 非晶薄膜 直流磁控溅射 制备 性能 软磁材料

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有限元模拟在外斯型电磁铁设计中的应用 被引量：1

9

作者 沈娇艳 臧涛成 +1 位作者 程新利 马锡英 《苏州科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2011年第4期41-44,共4页

设计了一个外斯型电磁铁,采用有限元方法对其磁场强度进行了三维模拟。推导了极头的设计方法,并计算了不同气隙间距和不同线圈电流条件下的磁场分布。结果表明,采用有限元模拟后的磁场比用简单磁路方法计算的结果更加准确。

关键词 电磁铁 磁场 有限元方法

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氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响

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作者 金波 王曦 +3 位作者 陈静 张峰 程新利 陈志君 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期86-90,共5页

研究了氧化对外延在SOI衬底上的Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对Si Ge薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基Si Ge薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使Si Ge薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而Si Ge... 研究了氧化对外延在SOI衬底上的Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对Si Ge薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基Si Ge薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使Si Ge薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行.通过对Si Ge薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现在氧化过程中,Si Ge薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程. 展开更多

关键词 氧化 SIGE SOI 应变弛豫

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MEMS热驱动可变电容的有限元模拟研究

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作者 沈娇艳 陈立军 +1 位作者 程新利 臧涛成 《苏州科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2014年第1期39-42,47,共5页

设计了一种热致驱动MEMS可变电容器,其主要结构由固定于衬底的下极板和可上下活动的上极板组成;上极板由四个对称结构的热驱动器驱动,每个热驱动器主要包括两根冷臂和两根加热臂。通过输入电压,热驱动器发生形变,带动电容器的上极板向... 设计了一种热致驱动MEMS可变电容器,其主要结构由固定于衬底的下极板和可上下活动的上极板组成;上极板由四个对称结构的热驱动器驱动,每个热驱动器主要包括两根冷臂和两根加热臂。通过输入电压,热驱动器发生形变,带动电容器的上极板向上运动,从而使电容值减小。有限元方法模拟结果表明:在4 V驱动电压下,加热臂长为150μm时,电容值变为原先的0.3倍;而加热臂长为300μm时,电容值只有原先的1/10。 展开更多

关键词 MEMS设计 有限元分析 可变电容 热驱动器

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Fe-Zr-B非晶磁性薄膜的制备与研究

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作者 徐炜新 程新利 +1 位作者 金惠娟 许裕生 《金属功能材料》 CAS 2002年第4期24-29,共6页

用X 射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱、穆斯堡尔谱研究了直流磁控溅射法制备的Fe Zr B薄膜。用振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能。X 射线衍射和透射电镜结果表明 ,制备态的薄膜是非晶的 ;X射线光电子能谱结果表明样品表面氧化较明... 用X 射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱、穆斯堡尔谱研究了直流磁控溅射法制备的Fe Zr B薄膜。用振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能。X 射线衍射和透射电镜结果表明 ,制备态的薄膜是非晶的 ;X射线光电子能谱结果表明样品表面氧化较明显 ,深层部分Fe,Zr ,B结合占主导地位 ;穆斯堡尔谱结果表明薄膜中Fe原子周围Zr ,B原子的存在使Fe原子核内场值有所下降并导致超精细场分布P(H)出现双峰结构 ,薄膜中存在两种不同的局域微结构。 展开更多

关键词 Fe-Zr-B合金 非晶薄膜 直流磁控溅射 制备

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Fe-Zr-B非晶薄膜退火后的组织与性能

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作者 徐炜新 程新利 +1 位作者 金惠娟 许裕生 《热处理》 CAS 2003年第4期15-17,24,共4页

用直流磁控溅射法成功制备了Fe-Zr-B非晶薄膜。用X-射线衍射、透射电镜研究了薄膜不同退 火温度后的组织与性能。研究结果表明,薄膜在550℃退火时,其磁感应强度最高,主要原因是因为 其结构发生了有利于磁化的bcc相的转变。

关键词 Fe-Zr-B合金 非晶薄膜 热处理 退火 组织 性能

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光波分复用实验的改进和扩展

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作者 毛红敏 王晓丹 程新利 《物理实验》 北大核心 2011年第9期26-28,共3页

利用自聚焦透镜代替集成的波分复用器件,对2路波分复用实验结构进行了改进,并在实验中增加光谱仪用于观察光纤中的光谱.通过上述改进,使学生进一步了解波分复用器内部结构,加深对复用和解复用的理解.

关键词 光纤 波分复用 自聚焦透镜

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一种新型MEMS微电感制作工艺和模拟研究 被引量：2

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作者 谈志杰 沈娇艳 +2 位作者 程新利 王友清 潘涛 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期278-281,共4页

采用光刻、干法刻蚀、电镀等微机电系统(MEMS)工艺设计了一种新型的带磁芯的螺线管微电感。采用COMSOL Multiphysics有限元软件,计算了不同频率交流载荷下的等效电阻、等效电感和阻抗随频率变化的关系。模拟结果表明,在1kHz^1MHz的频率... 采用光刻、干法刻蚀、电镀等微机电系统(MEMS)工艺设计了一种新型的带磁芯的螺线管微电感。采用COMSOL Multiphysics有限元软件,计算了不同频率交流载荷下的等效电阻、等效电感和阻抗随频率变化的关系。模拟结果表明,在1kHz^1MHz的频率范围内,其等效电感值基本不变,约为27nH,电阻值约为9Ω,射频模拟结果表明其共振频率为0.45GHz。 展开更多

关键词 微机电系统(MEMS) 制作工艺 螺线管微电感 有限元模拟 COMSOL MULTIPHYSICS

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瑞红RZJ-304光刻胶光刻工艺研究 被引量：3

16

作者 庞梦瑶 程新利 +3 位作者 秦长发 沈娇艳 唐运海 王冰 《苏州科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2015年第3期20-24,42,共6页

利用光刻技术对瑞红RZJ-304正性光刻胶进行光刻工艺研究,用透射式光栅作为掩模版,通过改变光刻步骤中的前烘时间、曝光时间、显影时间等来研究光刻效果。实验结果表明,掩模版图形被成功地转移到了硅片基底上,显影后光刻胶厚度均匀,光刻... 利用光刻技术对瑞红RZJ-304正性光刻胶进行光刻工艺研究,用透射式光栅作为掩模版,通过改变光刻步骤中的前烘时间、曝光时间、显影时间等来研究光刻效果。实验结果表明,掩模版图形被成功地转移到了硅片基底上,显影后光刻胶厚度均匀,光刻胶线条呈周期性排列,得到了与掩模版尺寸一致的图形。这说明得到了适合RZJ-304光刻胶的光刻工艺。 展开更多

关键词 RZJ-304光刻胶 光刻技术 光栅掩模版

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离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光

17

作者 张昌盛 肖海波 +3 位作者 王永进 陈志君 程新利 张峰 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第2期151-154,共4页

利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶... 利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。 展开更多

关键词 ER 富硅氧化硅 光致发光 温度淬灭

原文传递

Fe-Zr-B非晶磁性薄膜制备工艺对性能的影响

18

作者 徐炜新 程新利 +2 位作者 金惠娟 章靖国 许裕生 《上海钢研》 2002年第2期15-19,共5页

用JGP560D型双室多功能磁控溅射仪成功制备了Fe-Zr-B非晶磁性薄膜,并获得了良好的磁性能。研究了制备工艺对薄膜性能的影响。

关键词 Fe-Zr-B合金 非晶薄膜 磁控溅射 磁性能 制备工艺

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睫毛萼凤仙花的组织培养及其愈伤组织的超微观察 被引量：3

19

作者 王雪娟 程新利 柴瑞娟 《广西植物》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期262-265,共4页

试验以睫毛萼凤仙花无菌苗的叶片、茎和根为外植体进行离体培养,并对两种具有不同再分化能力的愈伤组织进行电镜超微观察。结果表明:在培养基MS+NAA 0.5 mg/L+6-BA 0.5 mg/L上愈伤组织诱导率达最高,叶片愈伤组织的诱导率为100%,茎的愈... 试验以睫毛萼凤仙花无菌苗的叶片、茎和根为外植体进行离体培养,并对两种具有不同再分化能力的愈伤组织进行电镜超微观察。结果表明:在培养基MS+NAA 0.5 mg/L+6-BA 0.5 mg/L上愈伤组织诱导率达最高,叶片愈伤组织的诱导率为100%,茎的愈伤组织诱导率为67%,而根却没有愈伤组织的发生;叶片愈伤组织在MS+NAA 0.5 mg/L+6-BA 2.0 mg/L上培养40 d后有不定芽的发生,而茎的愈伤组织却没有器官发生;电镜观察表明,具有再分化能力的愈伤组织的细胞排列不规则,其表面有较明显的类似组织分化。 展开更多

关键词 睫毛萼凤仙花 离体培养 超微观察

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Eu_2O_3及其添加方式对马铃薯愈伤组织的诱导

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作者 柴瑞娟 王玉良 程新利 《热带作物学报》 CSCD 北大核心 2012年第5期871-875,共5页

以马铃薯幼嫩茎段为外植体,在相同激素条件下,于固体和液体培养基中附加不同浓度的氧化铕,探讨氧化铕的浓度及添加方式对马铃薯愈伤组织诱导及生长的影响。结果表明:不同浓度的氧化铕对马铃薯愈伤组织的诱导和生长的影响不同。统计学分... 以马铃薯幼嫩茎段为外植体,在相同激素条件下,于固体和液体培养基中附加不同浓度的氧化铕,探讨氧化铕的浓度及添加方式对马铃薯愈伤组织诱导及生长的影响。结果表明:不同浓度的氧化铕对马铃薯愈伤组织的诱导和生长的影响不同。统计学分析结果表明:固体培养基中氧化铕浓度为20.0～35.0 mg/L时,液体-固体双层培养时固体培养基中氧化铕浓度为10.0～30.0 mg/L时,液体-固体双层培养时液体培养基中氧化铕浓度为20.0～40.0 mg/L时,3种情况均适合马铃薯愈伤组织的诱导及生长。氧化铕在液体培养基中存在还是在固体培养基中存在对马铃薯愈伤组织的诱导和生长无明显影响,表明氧化铕的不同添加方式不会影响马铃薯愈伤组织的生长。扫描电镜结果也显示,适当浓度的氧化铕刺激马铃薯后,其愈伤组织细胞分裂速度更快。 展开更多

关键词 马铃薯 愈伤组织 氧化铕 添加方式 扫描电镜

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