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锌硅分子筛VPI-7的合成及表征
被引量:
5
1
作者
荆学珍
徐红
+1 位作者
樊明明
董晋湘
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期177-180,共4页
本文在Na2O-ZnO-SiO2-H2O水热体系中研究了温度、Na2O/SiO2、SiO2/ZnO对合成锌硅分子筛VPI-7的影响,并以XRD、SEM、FT-IR等手段对晶化产物进行表征。实验表明:(1)SiO2/ZnO比在3.5~10的范围内,可以合成VPI-7的纯相,且随着SiO2/ZnO比的增...
本文在Na2O-ZnO-SiO2-H2O水热体系中研究了温度、Na2O/SiO2、SiO2/ZnO对合成锌硅分子筛VPI-7的影响,并以XRD、SEM、FT-IR等手段对晶化产物进行表征。实验表明:(1)SiO2/ZnO比在3.5~10的范围内,可以合成VPI-7的纯相,且随着SiO2/ZnO比的增加,产物的相对结晶度增大;(2)合成产物中SiO2/ZnO比的变化不随反应物中SiO2/ZnO比的变化而线性变化,证明Zn在VPI-7中是有序排列的。参考硅铝沸石的红外光谱研究结果,对VPI-7的FT-IR谱图进行了简要的归属。
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关键词
锌硅分子筛
VPI-7
合成
表征
水热体系
氧化钠
氧化锌
二氧化硅
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职称材料
离子选择性电极法对不同无机代磷助剂钙交换速率的研究
被引量:
6
2
作者
荆学珍
徐红
+1 位作者
李晋平
董晋湘
《日用化学工业》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期48-51,共4页
用离子选择性电极法对A型分子筛、小晶粒A型分子筛、高铝P型分子筛 (MAP)、Na2 SiO3 ·9H2 O、层状二硅酸钠等不同无机代磷助剂的钙交换速率进行测定 ,并将它们与三聚磷酸钠 (STPP)进行比较 ,结果发现STPP不论在钙交换速率上还是钙...
用离子选择性电极法对A型分子筛、小晶粒A型分子筛、高铝P型分子筛 (MAP)、Na2 SiO3 ·9H2 O、层状二硅酸钠等不同无机代磷助剂的钙交换速率进行测定 ,并将它们与三聚磷酸钠 (STPP)进行比较 ,结果发现STPP不论在钙交换速率上还是钙交换深度上都优于其他助剂 ;Na2 SiO3 ·9H2 O表现出较快的钙交换速率 ,但钙交换深度不够 ;分子筛中小晶粒A表现出较快的钙交换速度 ,而MAP型分子筛则相对较慢 ,其顺序为MAP <NaA <小晶粒A ,但 3者的钙交换程度都很深 ;同时对层状二硅酸钠中的α、β、δ 3个相的钙交换速率进行比较 ,发现 3者的起始速度差别并不明显 ,但在 10s后开始显出差别 ,其顺序为α <β <δ ,其中δ -层状二硅酸钠
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关键词
洗涤剂助剂
钙交换速率
钙交换深度
离子选择性电极法
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职称材料
无铅压电陶瓷研究的新进展
被引量:
22
3
作者
杨群保
荆学珍
+2 位作者
李永祥
王东
王天宝
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期56-61,65,共7页
综述了近年来国内外无铅压电陶瓷材料方面的研究进展。主要介绍了钛酸钡基、铌酸盐系、含铋层状结构以及含铋钙钛矿型无铅压电陶瓷体系中所开展的研究工作。同时对近年来无铅压电陶瓷在粉体制备以及晶粒定向新工艺方面的进展也进行了简...
综述了近年来国内外无铅压电陶瓷材料方面的研究进展。主要介绍了钛酸钡基、铌酸盐系、含铋层状结构以及含铋钙钛矿型无铅压电陶瓷体系中所开展的研究工作。同时对近年来无铅压电陶瓷在粉体制备以及晶粒定向新工艺方面的进展也进行了简要的评述。
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关键词
无机非金属材料
无铅陶瓷
综述
压电陶瓷
环境友好
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职称材料
具有八面体结构单元的类沸石锆硅矿物Umbite的合成研究
被引量:
1
4
作者
董晋湘
薛春峰
+2 位作者
马英民
徐红
荆学珍
《燃料化学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期56-59,共4页
在K2 O KF ZrO2 SiO2 H2 O体系中 ,研究了水热合成方法制备类沸石矿物Umbite的合成规律。考察了无机盐种类、有机添加物种类、碱源等对合成Umbite合成的影响。用XRD、SEM、FT IR、化学分析等对合成样品加以表征。实验结果表明 :可合成...
在K2 O KF ZrO2 SiO2 H2 O体系中 ,研究了水热合成方法制备类沸石矿物Umbite的合成规律。考察了无机盐种类、有机添加物种类、碱源等对合成Umbite合成的影响。用XRD、SEM、FT IR、化学分析等对合成样品加以表征。实验结果表明 :可合成Umbite的原料配比为 :K2 O/SiO2 /ZrO2 /KF /TMABr /H2 O =(1 0 3 0 )∶1∶(0 0 1 0 2 )∶(0 3 3 0 )∶(0 3 1 2 )∶36 8;有机添加物在Umbite合成中仅仅影响了晶化速率 ;受四面体与八面体交替排列的结构限制 。
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关键词
锆硅分子筛
合成
水热合成法
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职称材料
δ-层状二硅酸钠的稳定性研究
被引量:
5
5
作者
杜志刚
范武刚
+1 位作者
徐红
荆学珍
《科技情报开发与经济》
2002年第3期115-116,共2页
以具体的实验数据 ,研究了粒度 ,酸性、碱性条件 ,无机盐 ,表面活性剂 ,水溶性聚合物等因素对
关键词
δ-层状二硅酸钠
水浸稳定性
实验研究
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职称材料
洗涤剂发展50年回顾(英)
被引量:
2
6
作者
彼得.柯林
荆学珍
《日用化学品科学》
CAS
2000年第3期27-29,共3页
论述了过去50年来洗涤剂的发展 ,讨论了洗涤剂立法方面的发展。目前的洗涤剂配方是每一个时期的重大改进的最终结果 ,即通过不断增加洗涤剂的各种功能组分、不断优化洗涤剂配方而大大降低每件衣物所需洗涤剂用量以及排入废水中化学组分...
论述了过去50年来洗涤剂的发展 ,讨论了洗涤剂立法方面的发展。目前的洗涤剂配方是每一个时期的重大改进的最终结果 ,即通过不断增加洗涤剂的各种功能组分、不断优化洗涤剂配方而大大降低每件衣物所需洗涤剂用量以及排入废水中化学组分的含量。
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关键词
洗涤剂
配方
立法
历史回顾
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职称材料
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
7
作者
黄本成
刘英明
+2 位作者
荆学珍
张北超
谢超英
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第1期12-17,22,共7页
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降...
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。
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关键词
自对准硅化物
金属/半导体接触
综述
MIS结构
费米能级钉扎
肖特基势垒
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职称材料
题名
锌硅分子筛VPI-7的合成及表征
被引量:
5
1
作者
荆学珍
徐红
樊明明
董晋湘
机构
太原理工大学精细化工研究所
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期177-180,共4页
基金
山西省青年学科带头人培养基金资助项目
文摘
本文在Na2O-ZnO-SiO2-H2O水热体系中研究了温度、Na2O/SiO2、SiO2/ZnO对合成锌硅分子筛VPI-7的影响,并以XRD、SEM、FT-IR等手段对晶化产物进行表征。实验表明:(1)SiO2/ZnO比在3.5~10的范围内,可以合成VPI-7的纯相,且随着SiO2/ZnO比的增加,产物的相对结晶度增大;(2)合成产物中SiO2/ZnO比的变化不随反应物中SiO2/ZnO比的变化而线性变化,证明Zn在VPI-7中是有序排列的。参考硅铝沸石的红外光谱研究结果,对VPI-7的FT-IR谱图进行了简要的归属。
关键词
锌硅分子筛
VPI-7
合成
表征
水热体系
氧化钠
氧化锌
二氧化硅
Keywords
zincosilicate
VPI-7
synthesis
characterization
分类号
TQ424.25 [化学工程]
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职称材料
题名
离子选择性电极法对不同无机代磷助剂钙交换速率的研究
被引量:
6
2
作者
荆学珍
徐红
李晋平
董晋湘
机构
太原理工大学精细化工研究所
出处
《日用化学工业》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期48-51,共4页
基金
山西省教委科研基金资助!(2 0 1 2 )
文摘
用离子选择性电极法对A型分子筛、小晶粒A型分子筛、高铝P型分子筛 (MAP)、Na2 SiO3 ·9H2 O、层状二硅酸钠等不同无机代磷助剂的钙交换速率进行测定 ,并将它们与三聚磷酸钠 (STPP)进行比较 ,结果发现STPP不论在钙交换速率上还是钙交换深度上都优于其他助剂 ;Na2 SiO3 ·9H2 O表现出较快的钙交换速率 ,但钙交换深度不够 ;分子筛中小晶粒A表现出较快的钙交换速度 ,而MAP型分子筛则相对较慢 ,其顺序为MAP <NaA <小晶粒A ,但 3者的钙交换程度都很深 ;同时对层状二硅酸钠中的α、β、δ 3个相的钙交换速率进行比较 ,发现 3者的起始速度差别并不明显 ,但在 10s后开始显出差别 ,其顺序为α <β <δ ,其中δ -层状二硅酸钠
关键词
洗涤剂助剂
钙交换速率
钙交换深度
离子选择性电极法
Keywords
detergent builder
rate of calcium uptake
degree of calcium uptake
分类号
TQ649 [化学工程—精细化工]
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职称材料
题名
无铅压电陶瓷研究的新进展
被引量:
22
3
作者
杨群保
荆学珍
李永祥
王东
王天宝
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期56-61,65,共7页
基金
中国科技部"973"资助项目(2002CB613307)
国家先进材料委员会"863"资助项目(2001AA325070)
文摘
综述了近年来国内外无铅压电陶瓷材料方面的研究进展。主要介绍了钛酸钡基、铌酸盐系、含铋层状结构以及含铋钙钛矿型无铅压电陶瓷体系中所开展的研究工作。同时对近年来无铅压电陶瓷在粉体制备以及晶粒定向新工艺方面的进展也进行了简要的评述。
关键词
无机非金属材料
无铅陶瓷
综述
压电陶瓷
环境友好
Keywords
arganic non-metallic materials
lead-free ceramics
review
piezoelectric ceramics
environment friendly
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
具有八面体结构单元的类沸石锆硅矿物Umbite的合成研究
被引量:
1
4
作者
董晋湘
薛春峰
马英民
徐红
荆学珍
机构
太原理工大学精细化工研究所
出处
《燃料化学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期56-59,共4页
文摘
在K2 O KF ZrO2 SiO2 H2 O体系中 ,研究了水热合成方法制备类沸石矿物Umbite的合成规律。考察了无机盐种类、有机添加物种类、碱源等对合成Umbite合成的影响。用XRD、SEM、FT IR、化学分析等对合成样品加以表征。实验结果表明 :可合成Umbite的原料配比为 :K2 O/SiO2 /ZrO2 /KF /TMABr /H2 O =(1 0 3 0 )∶1∶(0 0 1 0 2 )∶(0 3 3 0 )∶(0 3 1 2 )∶36 8;有机添加物在Umbite合成中仅仅影响了晶化速率 ;受四面体与八面体交替排列的结构限制 。
关键词
锆硅分子筛
合成
水热合成法
Keywords
zironosilicate molecular sieves
synthesis
hydrothermal method
分类号
O643.36 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
δ-层状二硅酸钠的稳定性研究
被引量:
5
5
作者
杜志刚
范武刚
徐红
荆学珍
机构
太原理工大学精细化工研究所
出处
《科技情报开发与经济》
2002年第3期115-116,共2页
文摘
以具体的实验数据 ,研究了粒度 ,酸性、碱性条件 ,无机盐 ,表面活性剂 ,水溶性聚合物等因素对
关键词
δ-层状二硅酸钠
水浸稳定性
实验研究
Keywords
SKS-6
water logging stability
experimental research
分类号
TQ17 [化学工程—硅酸盐工业]
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职称材料
题名
洗涤剂发展50年回顾(英)
被引量:
2
6
作者
彼得.柯林
荆学珍
机构
太原理工大学精细化工研究所
出处
《日用化学品科学》
CAS
2000年第3期27-29,共3页
文摘
论述了过去50年来洗涤剂的发展 ,讨论了洗涤剂立法方面的发展。目前的洗涤剂配方是每一个时期的重大改进的最终结果 ,即通过不断增加洗涤剂的各种功能组分、不断优化洗涤剂配方而大大降低每件衣物所需洗涤剂用量以及排入废水中化学组分的含量。
关键词
洗涤剂
配方
立法
历史回顾
Keywords
detergent
formulation
legislation
分类号
TQ649 [化学工程—精细化工]
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职称材料
题名
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
7
作者
黄本成
刘英明
荆学珍
张北超
谢超英
机构
上海交通大学材料科学与工程学院
中芯国际集成电路制造有限公司技术研究与发展中心
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第1期12-17,22,共7页
文摘
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。
关键词
自对准硅化物
金属/半导体接触
综述
MIS结构
费米能级钉扎
肖特基势垒
Keywords
salicide
metal-silicon contact
renew
MIS structure
Fermi level pinning
Schottky barrier
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锌硅分子筛VPI-7的合成及表征
荆学珍
徐红
樊明明
董晋湘
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2002
5
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职称材料
2
离子选择性电极法对不同无机代磷助剂钙交换速率的研究
荆学珍
徐红
李晋平
董晋湘
《日用化学工业》
CAS
CSCD
北大核心
2001
6
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职称材料
3
无铅压电陶瓷研究的新进展
杨群保
荆学珍
李永祥
王东
王天宝
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004
22
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职称材料
4
具有八面体结构单元的类沸石锆硅矿物Umbite的合成研究
董晋湘
薛春峰
马英民
徐红
荆学珍
《燃料化学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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职称材料
5
δ-层状二硅酸钠的稳定性研究
杜志刚
范武刚
徐红
荆学珍
《科技情报开发与经济》
2002
5
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职称材料
6
洗涤剂发展50年回顾(英)
彼得.柯林
荆学珍
《日用化学品科学》
CAS
2000
2
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职称材料
7
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
黄本成
刘英明
荆学珍
张北超
谢超英
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016
0
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职称材料
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