P型硅光电二极管的特性 被引量：1

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作者 陈定钦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期28-31,共4页

本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10^(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相... 本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10^(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。 展开更多

关键词 光电 二极管 硅 特性

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耗尽型选择性掺杂异质结晶体管

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作者 陈定钦 张晓玲 +2 位作者 熊思强 高翠华 周帆 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第1期100-102,共3页

设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm... 设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm^2/v·s。测量了具有栅长1.2—1.5μm,栅宽2×180μm耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下g_m=110～130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。 展开更多

关键词 异质结晶体管 掺杂 MBE材料 晶体管

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平面型Gunn器件低温SiO_2淀积

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作者 陈定钦 徐建成 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期352-354,共3页

采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。

关键词 半导体器件 砷化镓 处延生长 低温淀积

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探测功率10^(-10)W的光电器件的计算与设计

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作者 陈定钦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期56-61,共6页

本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10^(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P^+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以... 本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10^(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P^+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以探测最小功率为10^(-)W,此时信/噪比达到1:4,电流灵敏度可提高10倍。 展开更多

关键词 光电器件 计算 设计 光电探测器

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WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作

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作者 陈定钦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期47-49,共3页

用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０... 用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０８０ｃｍ２·Ｖ－１ｓ－１，７７Ｋ时为６８０００ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１。二维电子密度（ｎｓ）为９×１０１１ｃｍ－２。源与漏的触点使用ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ通过蒸发技术制作，为减小触点电阻，在５２０℃的温度下放在氢气环境中合金３ｍｉｎ。ＷＳｉ栅器件的室温跨导为１１０～１３０ｍＡ／Ｖ。可用于通信卫星的３．８３ＧＨｚ及雷达接收机的１．５ＧＨｚ频道。它的噪声系数约为２－３ｄＢ。 展开更多

关键词 半导体器件 WSi栅 制造工艺

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(113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究

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作者 陈定钦 邢益荣 +6 位作者 李国华 朱勤生 曹作萍 张广泽 肖君 吴汲安 钟战天 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期832-835,共4页

光致发光（PL）实验表明；与（001）衬底比较，（113）B－GaAs／Al0.3Ga0.7As单量子阱结构（SQW’s）具有增强的光跃迁几率，它被归因于（113）B－GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出：这个数值比以前所报道的都高．

关键词 超晶格 量子阱 光致发光谱 结构

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光电子材料InP玷污的研究

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作者 徐建成 丁小平 陈定钦 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期550-551,共2页

文章给出了光电子材料InP的 ( 10 0 )和 ( 111)晶面质谱分析的结果 ,对 ( 10 0 )晶面做了光荧光分析。在 30 0和 77K温度下测量了 ( 10 0 )晶面的电子浓度及电子迁移率。

关键词 光电子材料 INP 质谱分析 光荧光 电子浓度 电子迁移率 磷化铟 提纯 硅 杂质

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InP材料的质谱分析及霍耳系数测量

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作者 徐建成 陈亚宁 陈定钦 《电子器件》 CAS 1996年第3期171-174,共4页

本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析。在室温和液氮条件下，测量了（１００）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾污主要来自硅。

关键词 质谱分析 光荧光 电子浓度 电子迁移率 磷化铟

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平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积

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作者 徐建成 刘澎 陈定钦 《分析测试技术与仪器》 1996年第1期57-60,共4页

采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理、工艺条件和可控硅电路．

关键词 低温淀积 畴雪崩器件 二氧化硅 PSG淀积

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光电子材料InP与金属接触的物理特性研究 被引量：1

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作者 徐建成 陈定钦 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1998年第1期68-70,共3页

本文讨论了ＩｎＰ与金属接触时的电荷输运方式；给出了ｎ型ＩｎＰ材料掺杂浓度为（１×１０１５～１×１０１７）ｃｍ－３时电子输运（以热电子发射为主）的数学表达式；测量了国产ＩｎＰ单晶与一些金属的接触势垒；分析了“金... 本文讨论了ＩｎＰ与金属接触时的电荷输运方式；给出了ｎ型ＩｎＰ材料掺杂浓度为（１×１０１５～１×１０１７）ｃｍ－３时电子输运（以热电子发射为主）的数学表达式；测量了国产ＩｎＰ单晶与一些金属的接触势垒；分析了“金属－ｎ＋－ＩｎＰ”结构，得到了ｎ＋区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合，表明采用该结构，可得到一个势垒极低的金属与ＩｎＰ电极的欧姆接触。 展开更多

关键词 欧姆接触 金属势 光电子材料

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“Au—n^＋（薄）—InP”结构及界面特性分析

11

作者 夏瑞东 陈定钦 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期88-92,共5页

“Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Ａｕ向Ｉ... “Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Ａｕ向Ｉｎｐ一侧内扩散，并认为正是这种高掺?.. 展开更多

关键词 化合物 半导体材料 AU INP 界面特性 欧姆接触

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InP微波光电器件的物理特性

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作者 夏瑞东 陈定钦 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期116-121,共6页

本文对InP微波光电器件的物理特性进行了研究。具体分析了InP材料中产生微分负迁移率的条件。介绍了InP材料的速度场特性,计算了InP体效应器件理论上可获得的最大效率,对在InP器件中形成稳定畴的条件进行了详细的数学分析。

关键词 磷化铟器件 微波 光电器件 INP材料

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