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(GaP)_n和(GaP)_n^-(n=10～16)团簇的结构与稳定性研究 被引量：2
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作者 郭彩红 贾建峰 武海顺 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第17期1836-1840,共5页
采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法对(GaP)n和(GaP)-n(n=10～16)团簇的一系列异构体的结构和稳定性进行了研究.讨论了中性团簇得到一个电子之后,几何结构和电子性质的变化.频率分析预测出最强吸收峰位于341～390cm-1区域.从能隙、结合... 采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法对(GaP)n和(GaP)-n(n=10～16)团簇的一系列异构体的结构和稳定性进行了研究.讨论了中性团簇得到一个电子之后,几何结构和电子性质的变化.频率分析预测出最强吸收峰位于341～390cm-1区域.从能隙、结合能和能量二次差分等方面综合考虑,具有Th对称性的(GaP)12和(GaP)1-2分别是中性(GaP)n和阴离子(GaP)-n团簇中最稳定的,而具有Td点群结构的(GaP)16也比较稳定,究竟哪种结构易于合成还有待于实验的进一步证实.在相同理论水平上计算了基态(GaP)n(n=10～16)的绝热电子亲合势(AEAs)及其基态阴离子的垂直电离能(VDEs),这对以后的实验数据分析将有一定的参考价值. 展开更多
关键词 密度泛函理论 (gap)n和(gap)n^-团簇 垂直电离能 绝热电子亲合势
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