基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片 被引量：1

1

作者 徐伟 赵子润 +1 位作者 刘会东 李远鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页

基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。 展开更多

关键词 双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(e/d phemt) 单刀双掷(SPdT)开关 数控移相器 数控衰减器

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GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器 被引量：6

2

作者 白元亮 张晓鹏 +1 位作者 陈凤霞 默立冬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期910-913,923,共5页

采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了... 采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。 展开更多

关键词 砷化镓 增强 耗尽型(e d) 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 6 bit单片数控衰减器 正压控制电路

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GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路 被引量：6

3

作者 黎明 张海英 +1 位作者 徐静波 付晓君 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1823-1826,共4页

利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC^10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC^10GHz内插入损... 利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC^10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC^10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础. 展开更多

关键词 增强/耗尽型phemt 逻辑控制电路 单刀双掷开关(SPdT) 反相器

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基于GaAs E/D PHEMT工艺的6～10 GHz多功能MMIC 被引量：4

4

作者 张滨 杨柳 +3 位作者 谢媛媛 李富强 魏洪涛 方园 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期180-185,共6页

采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（E/D PHEMT）工艺研制了一款6～10 GHz多功能微波单片集成电路（MMIC）。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明... 采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（E/D PHEMT）工艺研制了一款6～10 GHz多功能微波单片集成电路（MMIC）。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明：接收支路增益大于8 d B,1 d B压缩点输出功率大于3 d Bm;发射支路增益大于1 d B,1 d B压缩点输出功率大于8 d Bm。移相64态均方根误差小于3°,衰减64态均方根误差小于1 d B。在工作频带内接收和发射两种状态下,输入输出驻波比均小于1.5∶1。经过版图优化后,芯片尺寸为3.5 mm×5.1 mm。该多功能MMIC可用于微波收发组件,对传输信号进行幅相控制。 展开更多

关键词 多功能微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(e/dphemt) 单刀双掷(SPdT)开关 数控移相器 数控衰减器 数字驱动器

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基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片

5

作者 安亚宁 徐晨 +3 位作者 解意洋 潘冠中 王秋华 董毅博 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期419-424,共6页

设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络（HFC）的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器（TIA）、衰减器（VVA）和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消... 设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络（HFC）的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器（TIA）、衰减器（VVA）和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配。使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片。测试结果表明,芯片实现了42 d B的最大增益,在0-3 V控制电压下,0-28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz-1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75Ω,芯片面积1 412μm×1 207μm,芯片性能符合设计目标。 展开更多

关键词 光接收芯片 gaAS e/d phemt工艺 单片集成电路(MIC) 跨阻放大器 衰减器

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GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升 被引量：2

6

作者 彭龙新 邹雷 +3 位作者 王朝旭 林罡 徐波 吴礼群 《电子与封装》 2019年第3期30-34,共5页

为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的140... 为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。 展开更多

关键词 gaAsTi/Pt/Au栅 耗尽型phemt 增强型phemt 微波单片集成电路 氢退化 耐氢能力

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2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片 被引量：11

7

作者 刘志军 陈凤霞 +2 位作者 高学邦 崔玉兴 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期254-258,共5页

在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端... 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。 展开更多

关键词 增强 耗尽型 均方根衰减误差 TTL 数控衰减器 赝配高电子迁移率晶体管

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一种超小型7～8.5 GHz GaAs多功能芯片 被引量：4

8

作者 谢媛媛 赵子润 +2 位作者 刘文杰 李远鹏 陈凤霞 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期281-286,350,共7页

随着微波T/R组件小型化需求的增加,微波单片集成电路（MMIC）向小型化和多功能发展。基于GaAs E/D PHEMT工艺成功研制了一款超小型7~8.5 GHz幅相控制多功能芯片。片上集成了T/R开关、6 bit数字移相器、6 bit数字衰减器、增益放大器和并... 随着微波T/R组件小型化需求的增加,微波单片集成电路（MMIC）向小型化和多功能发展。基于GaAs E/D PHEMT工艺成功研制了一款超小型7~8.5 GHz幅相控制多功能芯片。片上集成了T/R开关、6 bit数字移相器、6 bit数字衰减器、增益放大器和并行驱动器。通过在开关和放大器的匹配电路中较多地使用集总元件以及通过电磁场验证优化版图布局,实现了芯片的小型化。测试结果表明,多功能芯片的接收状态增益大于0dB,1 dB压缩输出功率（P-1）大于12 dBm;发射状态增益大于1 dB,1 dB压缩输出功率大于13 dBm。在接收和发射状态下,移相64态均方根（RMS）误差小于1.5°,衰减64态RMS误差小于0.4 dB,输入输出回波损耗小于-14 dB。裸片尺寸为3.50 mm×2.55 mm×0.07 mm。 展开更多

关键词 多功能芯片(MFC) 超小型 幅相控制 gaAS e/d phemt 微波单片集成电路(MMIC)

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一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器 被引量：5

9

作者 谢媛媛 陈凤霞 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期580-585,共6页

微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设... 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) 超小型 数字衰减器 gaAs e/d phemt 直接耦合场效应晶体管逻辑(dCFL)单元

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带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计

10

作者 杨柳 《通信电源技术》 2023年第5期23-26,共4页

设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱... 设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(e/d)高电子迁移率晶体管(phemt) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动 直接耦合场效应晶体管逻辑(dCFL)

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0.5~2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计 被引量：2

11

作者 丁有源 王青松 牛伟东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期129-133,157,共6页

基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不... 基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不仅缩小了芯片面积,并且在超宽带下实现了较好的相位精度和幅度一致性。采用微波探针台对芯片进行在片测试,结果表明在0.5~2.7 GHz,芯片性能良好:其小信号RF输入功率为0 dBm,芯片的插入损耗不大于7 dB,幅度波动在±0.8 dB以内,相位差为-98°~-85°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.9∶1,输出VSWR不大于1.9∶1,在-5 V电源下驱动器的静态电流为1 mA,响应速度为25 ns。芯片尺寸为3.4 mm×1.8 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、集成度高等特点,可应用于多波束天线系统中。 展开更多

关键词 gaAS 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 增强/耗尽型(e/d模) 单片微波集成电路(MMIC) 磁耦合全通网络(MCAPN) 功率分配器 数字驱动器

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基于AGA-BP强预测的爬升段油耗估计 被引量：5

12

作者 陈静杰 张永平 《计算机工程与设计》 北大核心 2017年第10期2845-2849,2857,共6页

为准确预测燃油消耗量,减少民航碳排放,分析飞行数据影响油耗的参数,提出两种爬升阶段油耗预测模型,即BP预测模型与基于自适应(简写为A)GA-BP强预测模型。GA-BP强预测模型以BP预测网络为弱预测器,经有限次数迭代得到强预测器输出,实现... 为准确预测燃油消耗量,减少民航碳排放,分析飞行数据影响油耗的参数,提出两种爬升阶段油耗预测模型,即BP预测模型与基于自适应(简写为A)GA-BP强预测模型。GA-BP强预测模型以BP预测网络为弱预测器,经有限次数迭代得到强预测器输出,实现误差的优化调整,解决非线性复杂问题。实验结果表明,该模型在非线性预测方面有明显优势,预测精度和拟合度较好,验证了两种模型在油耗预测领域都具可行性。 展开更多

关键词 飞行数据 油耗 BP网络 自适应ga-BP强预测模型 误差

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GaAs毫米波双路数控衰减器MMIC

13

作者 丁红沙 《现代信息科技》 2023年第11期61-63,68,共4页

基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在2... 基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在26~32 GHz频段内,芯片插入损耗小于6 dB,衰减均方根误差小于0.5 dB,衰减附加相移小于±5°,输入输出电压驻波比小于1.6:1,工作电流小于6 mA。芯片尺寸仅为2.00 mm×2.00 mm×0.07 mm。 展开更多

关键词 gaAs e/d赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 单片微波集成电路(MMIC) 毫米波 双路数控衰减器

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Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计 被引量：7

14

作者 李富强 赵子润 魏洪涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期612-616,共5页

基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减... 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。 展开更多

关键词 单片微波集成电路(MMIC) gaAs 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 增强/耗尽(e/d)型 数字衰减器 数字驱动器

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东胜气田排水采气工艺技术难点及对策 被引量：12

15

作者 黄祥峰 刘锋 《天然气与石油》 2017年第3期80-84,共5页

东胜气田气井排水采气时存在单井产液量无法计量、泡排加注制度不明确、低压气井排液难度大、高产液井水淹后复产困难等问题,对上述存在问题及技术难点进行分析,分别提出井下节流器井流温流压测试、橇装计量单井产液量、应用抽油机排水... 东胜气田气井排水采气时存在单井产液量无法计量、泡排加注制度不明确、低压气井排液难度大、高产液井水淹后复产困难等问题,对上述存在问题及技术难点进行分析,分别提出井下节流器井流温流压测试、橇装计量单井产液量、应用抽油机排水采气工艺、完善气井气举施工工艺流程、"井下隔热+地面节流"工艺等措施,取得一些关于低压集输下排水采气工艺上的认识和成果,为东胜气田稳定高效开发奠定了基础,并为同类气田在低压集输工艺下的排水采气提供了借鉴。 展开更多

关键词 东胜气田 橇装计量 气举 排水采气 低压气井

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基于变领域遗传算法的生产流水线物流调度 被引量：3

16

作者 潘胜 《信息技术》 2018年第4期63-69,共7页

生产计划和调度是制造企业的核心问题,工件的延迟或提前会带来额外库存、价格变动、产品损耗等多种问题。文中基于准时化模式的生产理念,研究考虑机器准备时间的两阶段生产流水线物流的工件最佳排序问题。以最小化最大拖期和提前期为目... 生产计划和调度是制造企业的核心问题,工件的延迟或提前会带来额外库存、价格变动、产品损耗等多种问题。文中基于准时化模式的生产理念,研究考虑机器准备时间的两阶段生产流水线物流的工件最佳排序问题。以最小化最大拖期和提前期为目标函数,提出了一种变邻域遗传搜索算法。该算法将遗传算法求得的最优解作为变邻域搜索的初始解,利用变邻域搜索较好的局部搜索能力进行精细搜索,以提高算法的求解质量。通过仿真实验和算法比较验证了变邻域遗传搜索算法的有效性。 展开更多

关键词 生产流水线 物流调度 准时化 变邻域搜索算法 遗传算法

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中国极地油气资源开发装备产业现状及发展策略建议 被引量：5

17

作者 张文昊 赵洁 +5 位作者 顾洪 宋广斌 朱晓环 金瑞健 李凡 王文伟 《国际石油经济》 2021年第3期33-38,共6页

随着中国"冰上丝绸之路"战略的提出,参与北极油气资源开发成为促进中国能源进口多元化、保障国家能源安全的重要举措之一。中国拥有极地油气开发的勘探装备、钻井装备、生产装备、运输装备、辅助支持装备的数量和性能以及基... 随着中国"冰上丝绸之路"战略的提出,参与北极油气资源开发成为促进中国能源进口多元化、保障国家能源安全的重要举措之一。中国拥有极地油气开发的勘探装备、钻井装备、生产装备、运输装备、辅助支持装备的数量和性能以及基础研究、设计、装备制造、低温配套等产业发展水平,与极地国家相比仍有较大差距,均处于追随状态。中国应从国家顶层设计和行业发展层面推动中国极地油气资源开发装备产业发展:制定极地科研发展规划和实施路径,建立专门机构统一协调管理极地能源开发装备事务,制定国家极地装备设计、建造和安装规范并统一行业设计标准;加快推进极地装备国产化研究和应用,构建极地油气开发装备产业联盟,做好极地研究人才的培养和储备工作,充分发挥校企联合优势,注重极地相关配套产业整合。 展开更多

关键词 极地油气资源 油气勘探开发装备 冰上丝绸之路 北极勘探开发

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燃气轮机工质的热物性计算及分析 被引量：2

18

作者 黄地 周登极 +2 位作者 韦婷婷 张会生 苏明 《海军工程大学学报》 CAS 北大核心 2017年第6期107-112,共6页

采用燃气轮机工质热物性计算中最常用的三种方法:变比热法(方法 A)、基于实验数据的方法(方法B)、基于实际气体状态方程的方法(方法 C),以NIST物理化学性质部门公开数据库的查询结果作为比较标准,考虑工质为空气或燃气时,通过对比其计... 采用燃气轮机工质热物性计算中最常用的三种方法:变比热法(方法 A)、基于实验数据的方法(方法B)、基于实际气体状态方程的方法(方法 C),以NIST物理化学性质部门公开数据库的查询结果作为比较标准,考虑工质为空气或燃气时,通过对比其计算误差分析得到最适合燃气轮机工质的热物性计算方法。结果表明:无论低压高压,当温度大于300℃时,方法 B的空气计算结果与标准值有4kJ/kg左右的固定偏差,该偏差在计算压缩过程焓增时会抵消,因此方法 B对于计算压缩功非常准确;无论工质是空气还是燃气,方法 A和方法C的误差都较大,方法 B更适合用于描述燃气轮机中的压缩与膨胀过程。 展开更多

关键词 工程热物理 燃气轮机 工质 热物性 精确度

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煤层瓦斯含量影响因素分析及其预测研究 被引量：3

19

作者 向东辉 《能源与环保》 2017年第6期216-218,222,共4页

为了深入了解煤层瓦斯含量的影响因素及其准确含量,采用单因素法对某煤矿煤层瓦斯含量影响的地质因素进行了研究,运用支持向量机理论建立了煤层瓦斯含量与主要控制因素之间的非线性预测模型,并对其瓦斯含量进行了预测。研究结果表明:煤... 为了深入了解煤层瓦斯含量的影响因素及其准确含量,采用单因素法对某煤矿煤层瓦斯含量影响的地质因素进行了研究,运用支持向量机理论建立了煤层瓦斯含量与主要控制因素之间的非线性预测模型,并对其瓦斯含量进行了预测。研究结果表明:煤厚、基岩埋深、顶板岩层效应50 m厚度影响系数是影响煤层瓦斯含量的主要因素;利用支持向量机建立的瓦斯含量预测模型其预测结果与现场实测值的平均残差为0.01,其拟合度高,可直接用于煤矿现场预测煤层瓦斯含量。 展开更多

关键词 瓦斯含量 地质因素 主要控制因素 单因素法 支持向量机

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生物可降解聚对二氧环己酮材料中单体残留的测定 被引量：3

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作者 朱爱臣 马丽霞 +3 位作者 杨清华 刘阳 王传栋 李俊起 《生物医学工程研究》 北大核心 2017年第4期366-369,共4页

建立聚二氧环己酮原料中单体二氧环己酮残留量的气相色谱测试方法。采用DB-624毛细管色谱柱(30.0 m×535μm×3.00μm),程序升温(146℃保持5 min,30℃/min升温至200℃,保持2 min)。载气为氮气,氢火焰离子化检测器(FID),进样口温... 建立聚二氧环己酮原料中单体二氧环己酮残留量的气相色谱测试方法。采用DB-624毛细管色谱柱(30.0 m×535μm×3.00μm),程序升温(146℃保持5 min,30℃/min升温至200℃,保持2 min)。载气为氮气,氢火焰离子化检测器(FID),进样口温度240℃,检测器温度250℃,分流比5:1,进样量2μL。结果显示单体在0.0239~0.1794 mg/m L范围内线性关系良好,平均回收率为100.3%,RSD为1.39,检测限浓度为0.2μg/m L,定量限浓度为0.5μg/m L。该方法简便快捷、准确度和灵敏度高。 展开更多

关键词 聚对二氧环己酮 对二氧环己酮 单体残留 气相色谱 生物可降解性

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