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Preparation of TiC powders by carbothermal reduction method in vacuum 被引量:21
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作者 森维 徐宝强 +4 位作者 杨斌 孙红燕 宋建勋 万贺利 戴永年 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期185-190,共6页
The preparation of fine TiC powders by carbothermal reduction of TiO2 in vacuum was investigated by XRD,SEM,XRF and laser particle sizer.Thermodynamic analysis indicates that it is easy to prepare TiC in vacuum and th... The preparation of fine TiC powders by carbothermal reduction of TiO2 in vacuum was investigated by XRD,SEM,XRF and laser particle sizer.Thermodynamic analysis indicates that it is easy to prepare TiC in vacuum and the formation sequence of products are Ti4O7(Magneli phase),Ti3O5,Ti2O3,TiCxO1-x and TiC with the increase of reaction temperature.Experimental results demonstrate that TiC powders with single phase are obtained with molar ratio of TiO2 to C ranging from 1:3.2 to 1:6 at 1 550 ℃ for 4 h when the system pressure is 50 Pa,and TiC1.0 is gained when the molar ratio of TiO2 to C is 1:4 and 1:5.In addition,fine TiC1.0 powders(D50 equals 3.04 μm) with single phase and low impurities are obtained when the molar ratio of TiO2 to C is 1:4.SEM observation shows that uniform shape,low agglomeration,and loose structure are observed on the surface of block product. 展开更多
关键词 titanium dioxide titanium carbide VACUUM carbothermal reduction method
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Microwave permittivity of SiC-Al_2O_3 composite powder prepared by sol-gel and carbothermal reduction 被引量:5
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作者 刘晓魁 罗发 +1 位作者 朱冬梅 周万城 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2006年第B02期494-497,共4页
SiC-Al2O3 composite powder was prepared by sol-gel and carbothermal reduction method. The powder synthesized was characterized by X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) to confirm the phase forma... SiC-Al2O3 composite powder was prepared by sol-gel and carbothermal reduction method. The powder synthesized was characterized by X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) to confirm the phase formation, and the thermodynamic analysis was performed systematically. Moreover, the variation of its microwave permittivity with different atomic ratio of Al/Si was investigated in the frequency range of 8.2-12.4 GHz. The results show that, the powder obtained consists of spherical particles of 300-400 nm in diameter, which are composed of SiC and Al2O3 microcrystal with the grain size of approximately 45 nm. The results of XRD accord with those of the thermodynamic analysis. It is impossible for Al atoms to dissolve in the lattice of SiC during the carbothermal reduction process. Along with the increase of atomic ratio of Al/Si in the xerogel, the amount of Al2O3 in the powder synthesized increases, which reduces bothε', the real part of complex permittivity, and tgδ(ε'/ε'), the dissipation factor, whereε' is the imaginary part of complex permittivity. 展开更多
关键词 碳化硅/三氧化二铝复合粉末 陶瓷 溶胶-凝胶法 碳热还原法 微波介电常数
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Investigation of β-Ga_(2)O_(3) thick films grown on c-plane sapphire via carbothermal reduction 被引量:1
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作者 Liyuan Cheng Hezhi Zhang +1 位作者 Wenhui Zhang Hongwei Liang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2023年第6期59-64,共6页
We investigated the influence of the growth temperature, O_(2) flow, molar ratio between Ga_(2)O_(3) powder and graphite powder on the structure and morphology of the films grown on the c-plane sapphire(0001) substrat... We investigated the influence of the growth temperature, O_(2) flow, molar ratio between Ga_(2)O_(3) powder and graphite powder on the structure and morphology of the films grown on the c-plane sapphire(0001) substrates by a carbothermal reduction method. Experimental results for the heteroepitaxial growth of β-Ga_(2)O_(3) illustrate that β-Ga_(2)O_(3) growth by the carbothermal reduction method can be controlled. The optimal result was obtained at a growth temperature of 1050 °C. The fastest growth rate of β-Ga_(2)O_(3) films was produced when the O_(2) flow was 20 sccm. To guarantee that β-Ga_(2)O_(3) films with both high-quality crystal and morphology properties, the ideal molar ratio between graphite powder and Ga_(2)O_(3) powder should be set at 10 : 1. 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)epitaxy carbothermal reduction method growth parameters
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Zirconium Diboride Powders Synthesized by Boro/Carbothermal Reaction Using Sol-Gel Technology
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作者 季惠明 范红娜 +1 位作者 丰红军 孙晓红 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2015年第3期228-233,共6页
A single phase of zirconium diboride (ZrB2) powder was successfully synthesized by sol-gel method in Zr-B-C-O system, using zirconium oxychloride (ZrOC12 ~ 8H20), nano-scale boron and suerose(C12H22011)as the st... A single phase of zirconium diboride (ZrB2) powder was successfully synthesized by sol-gel method in Zr-B-C-O system, using zirconium oxychloride (ZrOC12 ~ 8H20), nano-scale boron and suerose(C12H22011)as the starting materials and propylene oxide (PO) as complexing agent at a low temperature. Simultaneously, the experimen- tal and theoretical studies of ZrB2 synthesized by boro/carbothermal reduction from novel sol-gel technology were discussed. The results indicated that the pure rod-like ZrB2 powder without residual ZrO2 phase could be obtained with a B/Zr molar ratio of 3.5 at 1 400~C in argon atmosphere. Besides, in this study, a kinetic model for the Zr-B-C-O sys- tem producing ZrB2 by boro/carbothermal reaction was established based on thermodynamic analysis. It was also ob- served that, with the increase of reaction temperature, the reaction which produced ZrB2 powders changed from the borothermal reaction to boro/carbothermal reaction in the Zr-B-C-O system. 展开更多
关键词 zirconium diboride boro/carbothermal reaction kinetic model sol-gel method
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碳化硅原料粉体制备的研究进展
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作者 冯东 刘悦 +3 位作者 丁国强 茹红强 罗旭东 游杰刚 《航空制造技术》 北大核心 2025年第3期92-101,共10页
碳化硅(SiC)材料因具有优异的物理化学性能,已被广泛应用于航空航天、工程陶瓷和半导体等领域。目前,SiC粉体的合成方法众多,其中碳热还原法是工业生产SiC粉体的主要方法,但在生产过程中,SiC粉体的颗粒度和杂质含量均会影响最终产物的... 碳化硅(SiC)材料因具有优异的物理化学性能,已被广泛应用于航空航天、工程陶瓷和半导体等领域。目前,SiC粉体的合成方法众多,其中碳热还原法是工业生产SiC粉体的主要方法,但在生产过程中,SiC粉体的颗粒度和杂质含量均会影响最终产物的各项性能。因此,如何对SiC粉体进行细化和纯化处理成为制备高性能SiC材料需要探索的问题。本文首先介绍了SiC粉体合成技术的种类、原理和特点;然后,详细阐述了近年来SiC粉体细化技术的研究进展,并对SiC粉体中无定形碳和金属及金属氧化物的纯化技术进行重点介绍;最后分析了目前制备SiC粉体需要解决的问题,并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC)粉体 SiC合成 碳热还原法 粉体细化 粉体纯化
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晶种法合成硼化铪粉体及其生长机理研究
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作者 王振 胡晨光 +4 位作者 李可为 胡梦恩 张瀚文 黄竹林 胡小晔 《航空制造技术》 北大核心 2025年第3期84-91,共8页
硼化铪(HfB_(2))超高温陶瓷因其高熔点、高抗氧化性和优异的耐腐蚀性成为热防护领域的最佳候选材料之一,而研制粒径可控的陶瓷粉体对其应用至关重要。以氧化铪(HfO_(2))、氧化硼(B_(2)O_(3))和活性碳(C)为原料,通过晶种辅助的硼/碳热还... 硼化铪(HfB_(2))超高温陶瓷因其高熔点、高抗氧化性和优异的耐腐蚀性成为热防护领域的最佳候选材料之一,而研制粒径可控的陶瓷粉体对其应用至关重要。以氧化铪(HfO_(2))、氧化硼(B_(2)O_(3))和活性碳(C)为原料,通过晶种辅助的硼/碳热还原法合成了高纯HfB_(2)陶瓷粉体,研究了晶种粒径对陶瓷粉体粒径的影响规律,探究了晶种法合成HfB_(2)粉体的生长机制。通过X射线衍射分析粉体物相、扫描电子显微镜观察粉体形貌,并测定粉体中C、O杂质的含量。结果表明,晶种辅助的硼/碳热还原反应合成HfB_(2)粉体的最佳反应温度约为1500℃,保温1 h即可获得纯相HfB_(2)。通过调控初始晶种粒径,制备的HfB_(2)陶瓷粉体平均粒径在1.08~2.33μm之间,且粉体粒径随晶种粒径的增大而增大。激光粒度分析表明,添加晶种大幅提高了陶瓷粉体的分散性且促进了粒径的窄分布。此外,试验确定了HfB_(2)陶瓷粉体的生长过程分为两个阶段:首先晶种HfB_(2)表面被HfO_(2)晶粒包覆,HfO_(2)晶粒表层形成较小的HfB_(2)晶粒;再通过碳和硼的传质由外到内实现HfO_(2)到HfB_(2)的转化。 展开更多
关键词 硼化铪(HfB_(2)) 晶种 硼/碳热还原 粒径 陶瓷粉体形貌
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Synthesis of Vanadium Nitride by a One Step Method 被引量:6
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作者 Sansan YU Nianxin FU +1 位作者 Feng GAO Zhitong SUI 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第1期43-46,共4页
Vanadium nitrides were prepared via one step method of carbothermal reduction and nitridation of vanadium trioxide. Thermalgravimetric analysis (TGA) and X-ray diffraction were used to determine the reaction paths o... Vanadium nitrides were prepared via one step method of carbothermal reduction and nitridation of vanadium trioxide. Thermalgravimetric analysis (TGA) and X-ray diffraction were used to determine the reaction paths of vanadium carbide, namely the following sequential reaction: V2O3→V8C7 in higher temperature stage, the rule of vanadium nitride synthesized was established, and defined conditions of temperature for the production of the carbides and nitrides were determined. Vanadium oxycarbide may consist in the front process of carbothermal reduction of vanadium trioxide. In one step method for vanadium nitride by carbothermal reduction and nitridation of vanadium trioxide, the nitridation process is simultaneous with the carbothermal reduction. A one-step mechanism of the carbothermal reduction with simultaneous nitridation leaded to a lower terminal temperature in nitridation process for vanadium nitride produced, compared with that of carbothermal reduction process without nitridation. The grain size and shape of vanadium nitride were uniform, and had the shape of a cube. The one step method combined vacuum carborization and nitridation (namely two step method) into one process. It simplified the technological process and decreased the costs. 展开更多
关键词 Vanadium nitride Vanadium trioxide carbothermal reduction NITRIDATION One step method
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硼/碳热还原结合热压烧结原位制备ZrB_(2)陶瓷及其性能研究
8
作者 刘苗伟 贾全利 +4 位作者 彭西高 张小会 张子英 王海梅 王佳 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第5期381-386,共6页
为降低制备成本,提高ZrB_(2)陶瓷的性能,以ZrO_(2)、B_(4)C、炭黑为原料,按n(ZrO_(2))∶n(B_(4)C)∶n(C)分别为2∶1∶3、2∶1.1∶3、2∶1.2∶3、2∶1.3∶3配料,采用硼/碳热还原结合热压烧结法原位制备了ZrB_(2)陶瓷。利用反应热力学计... 为降低制备成本,提高ZrB_(2)陶瓷的性能,以ZrO_(2)、B_(4)C、炭黑为原料,按n(ZrO_(2))∶n(B_(4)C)∶n(C)分别为2∶1∶3、2∶1.1∶3、2∶1.2∶3、2∶1.3∶3配料,采用硼/碳热还原结合热压烧结法原位制备了ZrB_(2)陶瓷。利用反应热力学计算了不同CO分压(10^(5)、10^(2)、1和10^(-2)Pa)下ZrO_(2)-B_(4)C-C体系中各反应发生的概率和起始反应温度。研究了原料配比和热处理温度(1800、1850、1900和1950℃)对ZrB_(2)陶瓷试样性能、物相组成和显微结构的影响。结果表明:1)低CO分压显著降低该体系中各反应的起始温度;2)随B_(4)C加入量的增加,ZrB_(2)相含量增多,当n(ZrO_(2))∶n(B_(4)C)∶n(C)=2∶1.2∶3时,制备出氧含量仅为0.333%(w)的ZrB_(2)粉(以B_(2)O_(3)和ZrO_(2)的形式存在);3)随热处理温度的升高,试样的致密度和硬度逐渐增大,弯曲强度和断裂韧性呈先上升后下降的趋势。当热处理温度为1900℃时,试样的综合性能最佳,其相对密度、断裂韧性、弯曲强度和硬度分别为91.75%、4.87 MPa·m^(1/2)、525 MPa、18.6 GPa。 展开更多
关键词 硼/碳热还原 热压烧结 ZrB_(2) 力学性能
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TiO_(2)晶型对微波加热制备TiB_(2)粉体的影响 被引量:1
9
作者 陈滨 王兴国 +3 位作者 李欣 吴纪清 唐健 杨建红 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第1期44-47,52,共5页
为探究TiO_(2)晶型(锐钛矿型和金红石型)对微波加热制备TiB_(2)粉体的影响,分别以锐钛矿型和金红石型TiO_(2)为钛源,B_(4)C为硼源,炭黑为碳源,在微波加热的条件下通过硼热/碳热还原法快速制备了TiB_(2)粉体,探讨了TiO_(2)晶型对微波加... 为探究TiO_(2)晶型(锐钛矿型和金红石型)对微波加热制备TiB_(2)粉体的影响,分别以锐钛矿型和金红石型TiO_(2)为钛源,B_(4)C为硼源,炭黑为碳源,在微波加热的条件下通过硼热/碳热还原法快速制备了TiB_(2)粉体,探讨了TiO_(2)晶型对微波加热制备TiB_(2)粉体的物相组成、显微结构以及C和O杂质含量的影响。结果表明:在微波加热条件下,2种晶型TiO_(2)原料在1450℃反应20 min后均可制备纯相TiB_(2)粉体,其中金红石型TiO_(2)制备的TiB_(2)粉体呈规则的六方片状结构,晶粒发育较为完善。而锐钛矿型TiO_(2)制备的TiB_(2)则为近似球状结构。相比较,金红石型TiO_(2)作为硼源更有利于制备高纯度、晶型完整的TiB_(2)粉体。 展开更多
关键词 硼热/碳热还原法 锐钛矿 金红石型 TiB_(2)粉体 TiO_(2)晶型
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钕铁硼废料铁渣碳热还原法制备零价铁并用于降解偶氮染料废水
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作者 袁作成 廖子维 +1 位作者 黄金秋 余文 《江西冶金》 2024年第5期353-360,I0003,共9页
以钕铁硼废料铁渣为原料,通过碳热还原法制备零价铁(ZVI)材料,并用于降解偶氮染料废水。考察了制备条件对ZVI性能的影响及降解条件对ZVI去除偶氮染料分子的影响。结果表明,在焙烧温度为1000℃、焙烧时间为60 min、无烟煤用量为30%(质量... 以钕铁硼废料铁渣为原料,通过碳热还原法制备零价铁(ZVI)材料,并用于降解偶氮染料废水。考察了制备条件对ZVI性能的影响及降解条件对ZVI去除偶氮染料分子的影响。结果表明,在焙烧温度为1000℃、焙烧时间为60 min、无烟煤用量为30%(质量分数)的条件下制备的ZVI材料对甲基橙(MO)的降解性能较好。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对ZVI材料进行表征分析。结果表明,钕铁硼废料铁渣中的铁矿物基本被还原为ZVI,负载于铝硅酸盐上,ZVI颗粒尺寸为5~15μm。制备的ZVI材料在pH=3~10范围内对酸性橙G(OG)均具有较高的降解效率,最大去除容量为54.23 mg/g,对MO、亚甲基蓝(MB)、酸性铬兰K(ACBK)的降解效率均达到78%以上。利用碳热还原法制备ZVI不仅为钕铁硼废料铁渣的回收再利用提供了新的途径,而且为环境修复领域提供了一种低成本的降解材料。 展开更多
关键词 钕铁硼废料铁渣 零价铁 偶氮染料 酸性橙G 碳热还原法
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硼酸碳热还原-渗硅反应烧结制备碳化硼陶瓷复合材料
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作者 郑雅雯 张翠萍 +2 位作者 张瑞杰 夏乾 茹红强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期707-714,共8页
碳化硼性能优良,应用广泛,但制备成本较高。为了从源头解决碳化硼陶瓷材料制备成本高的问题,本工作直接以碳热还原法合成的碳化硼-C复合粉体为原料,无需进行破碎提纯,通过渗硅反应烧结制备碳化硼复合材料,所得材料性能与以市售碳化硼粉... 碳化硼性能优良,应用广泛,但制备成本较高。为了从源头解决碳化硼陶瓷材料制备成本高的问题,本工作直接以碳热还原法合成的碳化硼-C复合粉体为原料,无需进行破碎提纯,通过渗硅反应烧结制备碳化硼复合材料,所得材料性能与以市售碳化硼粉体为原料制备的材料性能相当,有效降低了其制备成本。主要研究了原料碳硼摩尔比对合成粉体以及碳化硼复合材料物相、显微组织和性能的影响,并探讨了碳化硼陶瓷复合材料的强韧化机理。结果表明:随着碳硼摩尔比增加,合成粉体中碳化硼粉体的碳硼原子比增加,且合成粉体中游离C含量增加;当碳硼摩尔比为2.01时,游离C包覆在碳化硼粉体颗粒表面。复合材料相组成均为B_(12)(C,Si,B)_(3)、SiC和Si,随着碳硼摩尔比的增加,复合材料中碳化硼和游离Si含量降低,SiC含量、大尺寸SiC区域的尺寸、大尺寸SiC区域和纳米SiC颗粒的数量均增加。大尺寸SiC区域的产生会降低材料的强度和韧性,而SiC纳米颗粒的形成有利于提高材料的强度和韧性。当碳硼摩尔比为1.35时,复合材料的抗弯强度和断裂韧性最高,分别为338 MPa和4.06 MPa·m^(1/2)。 展开更多
关键词 碳化硼 碳热还原法 渗硅反应烧结 碳硼摩尔比 显微组织
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碳热还原氮化硅藻土制备Si_(2)N_(2)O/SiC复合粉体
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作者 万赣 匡猛 +3 位作者 黄思源 张琎珺 王平 张声洲 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第7期2680-2684,共5页
氧氮化硅(Si_(2)N_(2)O)是性能优良的耐火材料和高温结构材料,具有优异的抗蠕变性、耐腐蚀性和抗氧化性等优点。本工作利用硅藻土作为硅源,乙炔炭黑作为还原剂,通过碳热还原氮化法在硅藻土表面原位合成Si_(2)N_(2)O/SiC复合粉体。采用X... 氧氮化硅(Si_(2)N_(2)O)是性能优良的耐火材料和高温结构材料,具有优异的抗蠕变性、耐腐蚀性和抗氧化性等优点。本工作利用硅藻土作为硅源,乙炔炭黑作为还原剂,通过碳热还原氮化法在硅藻土表面原位合成Si_(2)N_(2)O/SiC复合粉体。采用X射线衍射(XRD)分析、扫描电子显微镜(SEM)和N_(2)吸附/脱附等温线对样品进行表征。结果表明,在原料配比m(硅藻土)∶m(乙炔炭黑)=1∶1条件下,1 450℃煅烧4 h后,SiO_(2)完全转变成Si_(2)N_(2)O和β-SiC物相,样品整体呈球状形貌,大颗粒周围分布大量片层状小颗粒,并存在介孔结构。Si_(2)N_(2)O/SiC复合粉体作为性能优良的高温结构材料,有望在结构复合材料中得到广泛的应用。 展开更多
关键词 Si_(2)N_(2)O/SiC 硅藻土 碳热还原氮化法 多孔结构 高温结构材料 复合粉体
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新型碳热还原法制备LiFePO_4/C复合材料及其性能研究 被引量:18
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作者 刘素琴 龚本利 +2 位作者 黄可龙 张戈 李世彩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期283-286,共4页
以葡萄糖为碳源,采用一种新的碳热还原法制备LiFePO4/C正极材料.采用TG-DTA、XRD、TEM等手段对前驱体及产物进行了表征,研究了碳热还原的反应历程,测试了样品的电化学性能.结果表明,该碳热还原法可以降低煅烧温度.600℃烧结24h的样... 以葡萄糖为碳源,采用一种新的碳热还原法制备LiFePO4/C正极材料.采用TG-DTA、XRD、TEM等手段对前驱体及产物进行了表征,研究了碳热还原的反应历程,测试了样品的电化学性能.结果表明,该碳热还原法可以降低煅烧温度.600℃烧结24h的样品在0.05C下首次放电容量达156mAh·g-1,在0.1、0.2、0.5、1C下首次放电容量分别为146、135、130、121mAh·g-1.该样品在1C下经过30次循环,容量还保持为119mAh·g-1,衰减仅为1.65%. 展开更多
关键词 锂离子电池 正极材料 LIFEPO4 碳热还原法
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用碳热还原法制备多孔氮化硅陶瓷 被引量:14
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作者 陕绍云 杨建锋 +2 位作者 高积强 张文辉 金志浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期913-918,共6页
以廉价的二氧化硅和活性碳为起始粉料,用碳热还原法制备了高气孔率,孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷.考察了二氧化硅粉末粒径对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响.借助X射线衍射(XRD),扫描电子显微(SEM)和三点弯曲法对多孔氮化硅陶... 以廉价的二氧化硅和活性碳为起始粉料,用碳热还原法制备了高气孔率,孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷.考察了二氧化硅粉末粒径对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响.借助X射线衍射(XRD),扫描电子显微(SEM)和三点弯曲法对多孔氮化硅陶瓷的微观组织和力学性能进行了研究.XRD分析表明在烧结后的试样中,除了微量的α-Si3N4相和晶界结晶相Y8Si4N4O14外,其余的都是β-Si3N4相;SEM分析显示多孔氮化硅陶瓷是由柱状β-Si3N4晶粒和均匀的孔组成,通过改变二氧化硅的粒径,制备了不同孔隙率,力学性能优异的多孔氮化硅陶瓷. 展开更多
关键词 碳热还原法 多孔氮化硅陶瓷 微观组织 力学性能
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AlN陶瓷粉末制备方法特点和进展 被引量:23
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作者 林健凉 曲选辉 +2 位作者 黄栋生 秦明礼 李笃信 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期576-579,共4页
本文就国内外AlN粉末合成的研究情况 ,综述了直接氮化法、Al2 O3 碳热还原法、自蔓延高温合成法、等离子体法、气溶胶法等主要的几种AlN粉末制备方法的特点和研究进展 。
关键词 制备 直接氮化法 碳热还原法 氮化铝陶瓷粉末
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微波碳热还原法制备Li_3V_2(PO_4)_3及其性能研究 被引量:13
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作者 应皆荣 姜长印 +3 位作者 唐昌平 高剑 李维 万春荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1792-1796,共5页
将一定配比的LiOH·H2O,V2O5,H3PO4和蔗糖(C12H22O11)通过球磨均匀混合,烘干后埋入石墨粉中,在功率为800W的家用微波炉中高火加热15min,通过碳热还原合成Li3V2(PO4)3。用X射线衍射和扫描电镜对材料的结构和形貌进行了表征。充放电... 将一定配比的LiOH·H2O,V2O5,H3PO4和蔗糖(C12H22O11)通过球磨均匀混合,烘干后埋入石墨粉中,在功率为800W的家用微波炉中高火加热15min,通过碳热还原合成Li3V2(PO4)3。用X射线衍射和扫描电镜对材料的结构和形貌进行了表征。充放电测试表明,在电压范围为3V^4.3V和3V^4.8V时,Li3V2(PO4)3正极材料具有较高的比容量、优良的循环性能和倍率特性。在电压范围为1.5V^4.8V时,Li3V2(PO4)3正极材料具有很高的比容量,但循环性能较差。该材料有望用于锂离子电池部分取代昂贵的LiCoO2,也可望应用于动力型和储能型锂离子电池。 展开更多
关键词 锂离子电池 正极材料 LI3V2(PO4)3 微波碳热还原法
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以氧化铁为铁源制备磷酸铁锂的反应机制研究 被引量:12
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作者 冯泽荣 张俊英 +3 位作者 张中太 唐子龙 黄彦 吉双泽 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期361-365,共5页
以氧化铁和磷酸二氢锂为原料,采用碳热还原法制备磷酸铁锂正极材料。用热重-差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法来表征反应中间产物性质,分析研究碳热还原制备磷酸铁锂的反应机制,并通过分光光度法测定反应过程中... 以氧化铁和磷酸二氢锂为原料,采用碳热还原法制备磷酸铁锂正极材料。用热重-差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法来表征反应中间产物性质,分析研究碳热还原制备磷酸铁锂的反应机制,并通过分光光度法测定反应过程中亚铁离子含量。研究结果表明:该反应过程主要可分为三个阶段,第一为室温~200℃低温阶段,在此阶段Fe2O3被还原成Fe3O4;第二为200~600℃中温阶段,在400℃左右FeO进一步被还原为FeO;第三为600~800℃高温阶段,在600℃之后FeO与磷酸二氢锂发生置换反应生成磷酸铁锂。 展开更多
关键词 碳热还原法 磷酸铁锂 铁碳还原 亚铁含量
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碳热还原法制备高纯ZrB_2粉体 被引量:3
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作者 刘海 杨静 +3 位作者 唐明国 潘小强 庾正伟 张雨 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期7-11,共5页
以ZrO_2、B_4C、C作为原料,采用碳热还原法进行固相反应制备出高纯ZrB_2粉体。采用XRD、FESEM、化学滴定仪等分析了样品的相组成、微观形貌和元素含量。结果表明:样品在流动Ar气氛中1400℃保温1. 0 h进行硼化反应后,再经1650℃保温1. 0 ... 以ZrO_2、B_4C、C作为原料,采用碳热还原法进行固相反应制备出高纯ZrB_2粉体。采用XRD、FESEM、化学滴定仪等分析了样品的相组成、微观形貌和元素含量。结果表明:样品在流动Ar气氛中1400℃保温1. 0 h进行硼化反应后,再经1650℃保温1. 0 h进行碳化反应制备出絮状和柱状混合结构的高纯ZrB_2粉体,B含量为19. 8wt%,B损失仅为3. 6wt%,剩余碳为0. 87wt%。 展开更多
关键词 碳热还原法 固相反应 ZrB2粉体
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正极材料磷酸铁锂的复合掺碳改性研究 被引量:18
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作者 杨绍斌 于川 邱素芬 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期658-661,共4页
以正磷酸铁为铁源,以葡萄糖、乙炔黑为碳源,采用碳热还原法合成橄榄石型磷酸铁锂。采用X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)及恒流充放电测试仪分别对合成样品的物相、晶胞参数、表面形貌及电性能进行测试与表征。对比分析了... 以正磷酸铁为铁源,以葡萄糖、乙炔黑为碳源,采用碳热还原法合成橄榄石型磷酸铁锂。采用X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)及恒流充放电测试仪分别对合成样品的物相、晶胞参数、表面形貌及电性能进行测试与表征。对比分析了单一碳源掺杂与双碳源复合掺杂对材料结构及性能的影响。研究发现,合成的三组样品均为正交晶系的橄榄石型磷酸铁锂。其中双碳复合掺杂样品电性能最高为148.5mAh/g,倍率放电性能仍具有优势,10C时容量保持率为88.1%。 展开更多
关键词 锂离子电池 正极材料 磷酸铁锂 碳热还原法
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高纯氮化硅粉合成研究进展 被引量:14
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作者 郑彧 张伟儒 +4 位作者 彭珍珍 王腾飞 李镔 邹景良 张哲 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期344-347,共4页
氮化硅陶瓷是综合性能最好的结构陶瓷材料。纯度高、性能稳定且成本低廉的氮化硅粉体是影响氮化硅陶瓷性能和应用的关键。本文总结了目前常用的几种氮化硅粉体制备方法:硅粉氮化法、碳热还原法、自蔓延高温合成等,分析比较了几种方法的... 氮化硅陶瓷是综合性能最好的结构陶瓷材料。纯度高、性能稳定且成本低廉的氮化硅粉体是影响氮化硅陶瓷性能和应用的关键。本文总结了目前常用的几种氮化硅粉体制备方法:硅粉氮化法、碳热还原法、自蔓延高温合成等,分析比较了几种方法的原理及特点,并对氮化硅粉体的未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 氮化硅 硅粉氮化法 碳热还原法 自蔓延高温合成
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